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公开(公告)号：CN105487174B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201610074010.9
申请日：2016-02-02
Applicant: 吉林大学
IPC: G02B6/26
Abstract: 一种聚合物柔性的可变光衰减器及其制备方法，属于聚合物光波导柔性器件制备技术领域。本发明首先采用湿法腐蚀制备电极，制备波导与电极间隔层，而后利用突起高度不同的透明紫外纳米压印模板对版，制备凹槽，而后旋涂、固化芯层、包层材料，最后抛光(或采用准分子切割)器件，剥离得到柔性的聚合物可变光衰减器。与现有技术相比具备如下优势：首先制备电极，不会对耐热性不好的波导材料和抛光过程产生影响；采用透明紫外纳米压印过程对版，制备工艺简单、成本低；引入不同高度的模板结构，实现光波导与电极间距的精确控制；与现有抛光技术兼容，且可采用准分子激光器切割器件，无需抛光，快捷简便。
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公开(公告)号：CN104503024A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410798787.0
申请日：2014-12-20
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: G02B6/13 , G03F7/2053 , G03F7/70383
Abstract: 一种带有斜面耦合端口的聚合物光波导的制备方法，属于光波导三维集成技术领域，具体涉及一种灰度光刻结合二次波导光刻制备带有斜面耦合端口的聚合物光波导的方法，该端口可以用于光波导三维集成。本发明制作的带有斜面耦合端口的聚合物光波导，采用激光切割、梯度蒸发和纳米压印制备，解决了灰度光刻版制备工艺复杂的问题，降低了器件成本，可精确控制波导斜面长度和角度，湿法显影斜面具备良好的粗糙度，其斜面粗糙度小于5nm。本发明的方法适合于大批量生产可实际应用的有机聚合物和其他材料的三维空间集成器件；同时，当采用特殊厚度光刻胶时，本发明的结构可应用于45度光波导反射镜斜面的制备。
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公开(公告)号：CN104503024B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410798787.0
申请日：2014-12-20
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种带有斜面耦合端口的聚合物光波导的制备方法，属于光波导三维集成技术领域，具体涉及一种灰度光刻结合二次波导光刻制备带有斜面耦合端口的聚合物光波导的方法，该端口可以用于光波导三维集成。本发明制作的带有斜面耦合端口的聚合物光波导，采用激光切割、梯度蒸发和纳米压印制备，解决了灰度光刻版制备工艺复杂的问题，降低了器件成本，可精确控制波导斜面长度和角度，湿法显影斜面具备良好的粗糙度，其斜面粗糙度小于5nm。本发明的方法适合于大批量生产可实际应用的有机聚合物和其他材料的三维空间集成器件；同时，当采用特殊厚度光刻胶时，本专利的结构可应用于45度光波导反射镜斜面的制备。
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公开(公告)号：CN105487174A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610074010.9
申请日：2016-02-02
Applicant: 吉林大学
IPC: G02B6/26
CPC classification number: G02B6/266
Abstract: 一种聚合物柔性的可变光衰减器及其制备方法，属于聚合物光波导柔性器件制备技术领域。本发明首先采用湿法腐蚀制备电极，制备波导与电极间隔层，而后利用突起高度不同的透明紫外纳米压印模板对版，制备凹槽，而后旋涂、固化芯层、包层材料，最后抛光(或采用准分子切割)器件，剥离得到柔性的聚合物可变光衰减器。与现有技术相比具备如下优势：首先制备电极，不会对耐热性不好的波导材料和抛光过程产生影响；采用透明紫外纳米压印过程对版，制备工艺简单、成本低；引入不同高度的模板结构，实现光波导与电极间距的精确控制；与现有抛光技术兼容，且可采用准分子激光器切割器件，无需抛光，快捷简便。
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