氧空位修饰的花状NiFe2O4/ZnO异质结材料的制备方法及用途

    公开(公告)号:CN116212884A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310183101.6

    申请日:2023-03-01

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明的氧空位修饰的花状NiFe2O4/ZnO异质结材料的制备方法及用途属于光催化材料制备的技术领域,首先用水热法制备结晶ZnO,然后将所得到的结晶ZnO与硝酸铁、硝酸镍采用共沉积法制备得到花状NiFe2O4/ZnO异质结材料;所制备的花状NiFe2O4/ZnO异质结材料可以作为催化剂用于光催化降解EE2或还原6价铬离子污染物原液。本发明首次合成出氧空位修饰的花状NiFe2O4/ZnO异质结材料,具有表面粗糙、比表面积较大、活性位点高等特点。用于降解EE2或还原Cr6+,降解率或还原率超98%。本发明为进一步研究NiFe2O4/ZnO异质结复合材料在降解污染物方面的应用奠定了基础。

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