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公开(公告)号：CN113325041B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110597879.2
申请日：2021-05-31
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种具有气敏响应特性的金修饰富含氧空位二氧化锡纳米材料的电阻型DMMP传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。该传感器为管式结构，由外表面带有两条平行且彼此分立的环状Au电极Al2O3陶瓷管衬底、涂覆在陶瓷管外表面和环状Au电极上的金修饰富含氧空位的二氧化锡纳米材料气体敏感薄膜、穿过陶瓷管内部的镍铬合金加热线圈组成。本发明可以通过控制反应温度、反应时间以及反应前驱物的比例实现表明金修饰富含氧空位二氧化锡纳米材料的组成、结构等性能的调控。该纳米材料对DMMP具有优异的气敏特性，具有高的灵敏度和快的响应恢复速率，解决了纯态半导体氧化物材料检测DMMP时面临的灵敏度低和无法恢复的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115184411B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202210811044.7
申请日：2022-07-11
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种基于铜离子修饰聚吡咯/还原氧化石墨烯(Cux+‑PPy‑rGO)的室温DMMP传感器、制备方法及在室温下对DMMP检测中的应用，属于电阻型室温气体传感器技术领域。由柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)衬底、印刷在PET衬底上的具有金属层结构的叉指电极和涂覆在叉指电极上的Cux+‑PPy‑rGO气体敏感薄膜组成。本发明中铜离子以Cu2+离子和Cu+离子的形式稳定的存在于杂化物中，Cu+离子的存在意味着更多的电荷N原子转移到Cu+离子以及形成稳定的Cu‑N结构，可以有效调控PPy中N原子和H原子周围电子云密度，进而调控PPy与DMMP分子之间的氢键作用，提升传感器的敏感特性。
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公开(公告)号：CN115184411A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210811044.7
申请日：2022-07-11
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种基于铜离子修饰聚吡咯/还原氧化石墨烯(Cux+‑PPy‑rGO)的室温DMMP传感器、制备方法及在室温下对DMMP检测中的应用，属于电阻型室温气体传感器技术领域。由柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)衬底、印刷在PET衬底上的具有金属层结构的叉指电极和涂覆在叉指电极上的Cux+‑PPy‑rGO气体敏感薄膜组成。本发明中铜离子以Cu2+离子和Cu+离子的形式稳定的存在于杂化物中，Cu+离子的存在意味着更多的电荷N原子转移到Cu+离子以及形成稳定的Cu‑N结构，可以有效调控PPy中N原子和H原子周围电子云密度，进而调控PPy与DMMP分子之间的氢键作用，提升传感器的敏感特性。
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公开(公告)号：CN113325041A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110597879.2
申请日：2021-05-31
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种具有气敏响应特性的金修饰富含氧空位二氧化锡纳米材料的电阻型DMMP传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。该传感器为管式结构，由外表面带有两条平行且彼此分立的环状Au电极Al2O3陶瓷管衬底、涂覆在陶瓷管外表面和环状Au电极上的金修饰富含氧空位的二氧化锡纳米材料气体敏感薄膜、穿过陶瓷管内部的镍铬合金加热线圈组成。本发明可以通过控制反应温度、反应时间以及反应前驱物的比例实现表明金修饰富含氧空位二氧化锡纳米材料的组成、结构等性能的调控。该纳米材料对DMMP具有优异的气敏特性，具有高的灵敏度和快的响应恢复速率，解决了纯态半导体氧化物材料检测DMMP时面临的灵敏度低和无法恢复的问题。
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公开(公告)号：CN113433175B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202110756293.6
申请日：2021-07-05
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种基于氮掺杂三氧化钼的电阻型DMMP传感器、制作方法及其在检测DMMP中的应用，属于气体传感技术领域。为平面结构，由在陶瓷片的上表面印刷的一对叉指结构的U形金电极作为信号电极、在陶瓷片下表面平铺印刷的二氧化钌膜作为加热层、在二氧化钌膜的表面印刷的一对条形金电极作为加热电极、在U形金电极和条形金电极上分别连接的引线、在陶瓷片的上表面和U形金电极的表面涂覆的氮掺杂三氧化钼气体敏感薄膜组成。本发明采用空气环境中直接热处理的方法实现氮原子的掺杂，操作条件温和，操作简单。所制备的氮掺杂三氧化钼材料具有丰富的表面活性位点，使得传感器具有很高的响应灵敏度、快速的响应恢复速率和良好的响应可逆性。
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公开(公告)号：CN113433175A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110756293.6
申请日：2021-07-05
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种基于氮掺杂三氧化钼的电阻型DMMP传感器、制作方法及其在检测DMMP中的应用，属于气体传感技术领域。为平面结构，由在陶瓷片的上表面印刷的一对叉指结构的U形金电极作为信号电极、在陶瓷片下表面平铺印刷的二氧化钌膜作为加热层、在二氧化钌膜的表面印刷的一对条形金电极作为加热电极、在U形金电极和条形金电极上分别连接的引线、在陶瓷片的上表面和U形金电极的表面涂覆的氮掺杂三氧化钼气体敏感薄膜组成。本发明采用空气环境中直接热处理的方法实现氮原子的掺杂，操作条件温和，操作简单。所制备的氮掺杂三氧化钼材料具有丰富的表面活性位点，使得传感器具有很高的响应灵敏度、快速的响应恢复速率和良好的响应可逆性。
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