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公开(公告)号：CN116641137A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310629871.9
申请日：2023-05-31
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明适用于单晶生长技术领域，提供了一种锡酸钙单晶的定向生长方法，包括以下步骤：将CaCl2和SnO2按摩尔分数2：1称量，并将CaCl2和SnO2的混合物进行研磨；将得到的研磨物置于坩埚中，将坩埚放置于真空管式炉内升温至一定温度使得研磨物加热成溶液，保持炉内温度一定时间后降温，得到锡酸钙晶体。本发明生长过程中晶体成核方向可控，成品率高，可以获得结晶性良好的锡酸钙单晶，生长完成的晶体晶粒发育完整，形貌规则，表面光洁，不会溶解，不会被挥发的氯化物附着，便于对锡酸钙单晶的众多性质进行分析。
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