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发明公开
一种芯片近场磁场测量系统审中-实审

公开(公告)号：CN116482588A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310476780.6

申请日：2023-04-28

Applicant: 吉林大学

Inventor： 杨光 , 周宁 , 金雪莹 , 孙旭旭 , 李抵非 , 邱春玲 , 田地

IPC: G01R33/10 , G01R33/00 , G01R31/00

Abstract: 本发明公开了一种芯片近场磁场测量系统，涉及磁场测量技术领域。所述系统包括：激光发射调制装置、光路调整模块、金刚石片、电控二维位移台、CCD相机和电磁屏蔽控制装置；通过设置激光发射调制装置和电磁屏蔽控制装置发出调制激光和量子态调控微波，与被测芯片测量区域的近场磁场共同作用下生成荧光信号，根据被测芯片上不同测量区域对应的荧光信号，确定被测芯片的近场磁场分布。本发明通过设置激光发射调制装置和电磁屏蔽控制装置能够提高大面积芯片近场磁场的测量效率。

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