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公开(公告)号：CN115015130A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210585888.4
申请日：2022-05-26
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N21/27
Abstract: 本发明涉及一种提高NiPS3光电响应特性的方法，包括：在金刚石对顶砧的压腔内插入绝缘层并放入半导体NiPS3，采用两个铂片作为电极与所述半导体NiPS3接触，在所述金刚石对顶砧的砧面上放上压力标定物。通过旋转加压螺丝对所述压腔进行加压，以提高所述压腔内半导体NiPS3的光电响应特性。本发明上述提高NiPS3光电响应特性的方法采用高压光电实验技术，能够有效调节半导体NiPS3光电光谱响应强度。无需引入掺杂，也无需调节材料尺度，方法简单高效，能推广到更多半导体材料的卸压后光电特性的提高。
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