公开(公告)号：CN1173045A

公开(公告)日：1998-02-11

申请号：CN96108672.6

申请日：1996-07-05

Applicant: 吉林大学

Inventor： 杜国同 ,  赵永生 ,  孙中哲 ,  张邦衡

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01S3/19

Abstract: 本发明为一种半导体双异质结发光器件。其结构包括在GaAs或InP单晶片衬底(2)上外延生长出下限制层(3)、有源层(4)、上限制层(5)、盖层(6)以及发光管上电极(7)、电流注入条区(8)构成发光管(9)部分,同样的外延层及锥形电流注入区(22)、放大器上电极(13)构成行波放大器(11)部分。两部分串接且有各自的电流注入区,构成本发明的半导体集成光源。两部分可用同样工艺过程同时完成。可以大幅度提高输出光功率,且工艺简单、共容性好。

公开(公告)号：CN1045138C

公开(公告)日：1999-09-15

申请号：CN96108672.6

申请日：1996-07-05

Applicant: 吉林大学

Inventor： 杜国同 ,  赵永生 ,  孙中哲 ,  张邦衡

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01S3/19

Abstract: 本发明为一种半导体双异质结发光器件。其结构包括在GaAs和InP单晶片衬底(2)上外延生长出下限制层(3)、有源层(4)、上限制层(5)、盖层(6)以及发光管上电极(7)、电流注入条区(8)构成发光管(9)部分，同样的外延层及锥形电流注入区(22)、放大器上电极(13)构成行波放大器(11)部分。两部分串接且有各自的电流注入区，构成本发明的半导体集成光源。两部分可用同样工艺过程同时完成。可以大幅度提高输出光功率，且工艺简单、共容性好。