-
公开(公告)号：CN117842939A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410008470.6
申请日：2024-01-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供了一种金属硫族合金化合物魔力尺寸簇及其制备方法，属于半导体材料技术领域。本发明通过氨基膦的活化，提高硫族阴离子的反应活性，实现通过单一的阴离子配体，控制反应温度，合成不同种类的多元合金魔力尺寸簇(MSCs)，本发明提供了一种系统便捷简单的金属硫族合金MSCs的制备方法，对合成金属硫族合金半导体量子点和后续基于金属基硫族合金化合物量子点光电器件的应用具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN119193149A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411309535.7
申请日：2024-09-19
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种带隙可调的紫外发光的含Ga纳米晶的制备方法，包括以下步骤：S1：将锌前驱物、铟前驱物、镓前驱物、硫前驱物、有机胺和1‑十八烯加入三颈烧瓶中，混合均匀；S2：初始反应：将混合物在氮气保护下加热并保持，形成ZnInGaS(ZIGS)Magic Size Clusters(MSCs)；逐渐升高反应温度并维持，以促进MSCs向ZnInGaS纳米晶的转化；S3：纳米晶体的析出与纯化；S4：通过离心法纯化得到带有过渡壳层的ZIGS/ZnGaS纳米晶体；S5：进一步生长ZnS壳层，用丙酮或乙醇溶剂析出纳米晶体，重复洗涤以得到纯化的ZIGS/ZnGaS/ZnS纳米晶体。通过调整前驱物中锌、铟、镓的化学计量比，能够实现ZIGS纳米晶体带隙的精确控制，使得该纳米晶体适用于不同波长范围的光电子器件，尤其是紫外光电子应用。
-
公开(公告)号：CN119193149B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411309535.7
申请日：2024-09-19
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种带隙可调的紫外发光的含Ga纳米晶的制备方法，包括以下步骤：S1：将锌前驱物、铟前驱物、镓前驱物、硫前驱物、有机胺和1‑十八烯加入三颈烧瓶中，混合均匀；S2：初始反应：将混合物在氮气保护下加热并保持，形成ZnInGaS(ZIGS)Magic Size Clusters(MSCs)；逐渐升高反应温度并维持，以促进MSCs向ZnInGaS纳米晶的转化；S3：纳米晶体的析出与纯化；S4：通过离心法纯化得到带有过渡壳层的ZIGS/ZnGaS纳米晶体；S5：进一步生长ZnS壳层，用丙酮或乙醇溶剂析出纳米晶体，重复洗涤以得到纯化的ZIGS/ZnGaS/ZnS纳米晶体。通过调整前驱物中锌、铟、镓的化学计量比，能够实现ZIGS纳米晶体带隙的精确控制，使得该纳米晶体适用于不同波长范围的光电子器件，尤其是紫外光电子应用。
-
公开(公告)号：CN118419863A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410493387.2
申请日：2024-04-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种尺寸可调的高质量碲化锌(ZnTe)量子点的制备方法，本发明通过使用高活性前驱物，改变阳离子和阴离子的反应活性，利用魔力尺寸团簇到量子点转化和多次注入前驱物外延生长相结合的方法，实现了ZnTe量子点成核和生长过程的分离，合成出不同尺寸的ZnTe量子点，本发明提供了一种系统便捷简单的尺寸可调的高质量ZnTe量子点的制备方法，成功制备了不同尺寸的单分散的ZnTe量子点，对合成ZnTe半导体量子点和后续基于ZnTe化合物量子点光电器件的应用具有重要意义。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.014 seconds)
