公开(公告)号：CN109828009B

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201910083504.7

申请日：2019-01-29

Applicant: 吉林大学

Inventor： 刘凤敏 ,  刘月颖 ,  索辉 ,  张轶群

IPC: G01N27/30 ,  C25D9/04

Abstract: 一种基于金属氧化物半导体薄膜纳米材料的H2S气体传感器及其制备方法，属于半导体氧化物气体传感器技术领域。首先是在氧化铝陶瓷衬底的金叉指电极上制备种子层，在种子层的基础上采用电化学沉积的方法，将金属材料沉积在电极上，热退火后得到金属氧化物半导体薄膜材料。以制备的NiO/CuO薄膜纳米材料为例，对低浓度的H2S气体表现出较高的响应，在检测H2S含量方面有很好的应用前景。该制备方法的条件温和，合成方法简单，成本低廉，实验周期短，并且具有很好的重现性，因此具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN109828009A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201910083504.7

申请日：2019-01-29

Applicant: 吉林大学

Inventor： 刘凤敏 ,  刘月颖 ,  索辉 ,  张轶群

IPC: G01N27/30 ,  C25D9/04

Abstract: 一种基于金属氧化物半导体薄膜纳米材料的H2S气体传感器及其制备方法，属于半导体氧化物气体传感器技术领域。首先是在氧化铝陶瓷衬底的金叉指电极上制备种子层，在种子层的基础上采用电化学沉积的方法，将金属材料沉积在电极上，热退火后得到金属氧化物半导体薄膜材料。以制备的NiO/CuO薄膜纳米材料为例，对低浓度的H2S气体表现出较高的响应，在检测H2S含量方面有很好的应用前景。该制备方法的条件温和，合成方法简单，成本低廉，实验周期短，并且具有很好的重现性，因此具有重要的应用价值。