公开(公告)号：CN116204126A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310174389.0

申请日：2023-02-23

申请人： 合肥大唐存储科技有限公司

发明人： 陈长春

IPC分类号： G06F3/06

摘要： 一种固态硬盘的数据读写方法及装置、固态硬盘、存储介质，包括：当接收到数据写入指令时，同时将所述数据写入指令中的数据写入多层存储单元块和单层存储单元块中，并将写入数据的逻辑地址与所述单层存储单元块中的物理地址的映射关系保存至第一映射关系表中；确定所述写入数据是否稳定；当所述写入数据稳定时，将所述写入数据的逻辑地址与所述多层存储单元块中的物理地址的映射关系保存至第二映射关系表中。

公开(公告)号：CN114296645A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111555463.0

申请日：2021-12-17

申请人： 合肥大唐存储科技有限公司

发明人： 张明 ,  张志 ,  张自达 ,  车振来 ,  李国超 ,  陈长春 ,  章雷

IPC分类号： G06F3/06 ,  G11C16/04

摘要： 本申请实施例公开了一种Nand闪存中重读方法和固态硬盘。所述方法包括：在对Nand闪存中出错页进行重读时，记录已完成重读的每个出错页在预设的重读表中对应的偏移电压范围；获取同一偏移方向的至少两个出错页对应的偏移电压范围；根据同一偏移方向的出错页对应的偏移电压范围，确定每个偏移方向对应的偏移电压的目标范围；利用每个偏移方向的目标范围，对Nand闪存中未完成重读的出错页进行重读操作。

公开(公告)号：CN114296645B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202111555463.0

申请日：2021-12-17

申请人： 合肥大唐存储科技有限公司

发明人： 张明 ,  张志 ,  张自达 ,  车振来 ,  李国超 ,  陈长春 ,  章雷

IPC分类号： G06F3/06 ,  G11C16/04

摘要： 本申请实施例公开了一种Nand闪存中重读方法和固态硬盘。所述方法包括：在对Nand闪存中出错页进行重读时，记录已完成重读的每个出错页在预设的重读表中对应的偏移电压范围；获取同一偏移方向的至少两个出错页对应的偏移电压范围；根据同一偏移方向的出错页对应的偏移电压范围，确定每个偏移方向对应的偏移电压的目标范围；利用每个偏移方向的目标范围，对Nand闪存中未完成重读的出错页进行重读操作。

公开(公告)号：CN114296642A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111534497.1

申请日：2021-12-15

申请人： 合肥大唐存储科技有限公司

发明人： 朱千叶 ,  方解 ,  李佳威 ,  陈长春 ,  李国超

IPC分类号： G06F3/06

摘要： 本申请实施例公开了一种固态硬盘中TRIM指令的处理方法和固态硬盘。所述方法包括：接收待执行的TRIM指令；将待执行的TRIM指令作为待写入数据，写入到固态硬盘的NAND中；按照写入顺序执行NAND中的TRIM指令。