公开(公告)号：CN109071228B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN201780019889.X

申请日：2017-03-22

Applicant: 古河电气工业株式会社(JP)

Inventor： 风间吉则 ,  山下智 ,  渡边雅重 ,  佐佐木宏和 ,  藤村幸司 ,  谷村雄大

IPC: C01B32/168 ,  B82Y30/00 ,  D01F9/127 ,  H01B1/04

Abstract: 本发明提供碳纳米管复合体，其与现有的碳纳米管复合体相比，能够在实现进一步的低电阻化的同时，实现与铜、铝同等的电阻率，并且在高温环境下也能够大幅地提高电特性。CNT复合体(11)具有：将多个具有2层的层结构的CNT(11a)、(11a)、...集束在一起而成的CNT束(11A)、和以排列的方式被导入上述多个CNT(11a)、(11a)、...间的空隙部(11B)的异种元素组(12)。

公开(公告)号：CN107851476A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680044706.5

申请日：2016-03-10

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 渡边雅重 ,  会泽英树 ,  三好一富 ,  山下智 ,  风间吉则 ,  谷村雄大 ,  藤村幸司 ,  远藤守信 ,  竹内健司 ,  藤重雅嗣

IPC: H01B1/04

Abstract: 本发明提供一种碳纳米管集合体，其与以往的碳纳米管线材相比能够进一步实现低电阻化，并且能够实现与铜、铝同等的电阻率，使电特性大幅提高。CNT集合体(1)由多个具有1层以上的层结构的CNT的CNT束(11)、(11)、……构成。CNT束(11)是多个CNT(11a)、(11a)、……集中成束而成的束状体。在CNT集合体(11)中，具有2层结构或3层结构的CNT的个数之和相对于多个CNT(11a)、(11a)、……的个数的比率为75％以上，并且，在源于拉曼光谱法中的拉曼光谱的G带的峰中，源于半导体性的CNT的G+/Gtotal比为0.70以上。

公开(公告)号：CN109071228A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780019889.X

申请日：2017-03-22

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 风间吉则 ,  山下智 ,  渡边雅重 ,  佐佐木宏和 ,  藤村幸司 ,  谷村雄大

IPC: C01B32/168 ,  B82Y30/00 ,  D01F9/127 ,  H01B1/04

Abstract: 本发明提供碳纳米管复合体，其与现有的碳纳米管复合体相比，能够在实现进一步的低电阻化的同时，实现与铜、铝同等的电阻率，并且在高温环境下也能够大幅地提高电特性。CNT复合体(11)具有：将多个具有2层的层结构的CNT(11a)、(11a)、…集束在一起而成的CNT束(11A)、和以排列的方式被导入上述多个CNT(11a)、(11a)、…间的空隙部(11B)的异种元素组(12)。

公开(公告)号：CN107851476B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201680044706.5

申请日：2016-03-10

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 渡边雅重 ,  会泽英树 ,  三好一富 ,  山下智 ,  风间吉则 ,  谷村雄大 ,  藤村幸司 ,  远藤守信 ,  竹内健司 ,  藤重雅嗣

IPC: H01B1/04

Abstract: 本发明提供一种碳纳米管集合体，其与以往的碳纳米管线材相比能够进一步实现低电阻化，并且能够实现与铜、铝同等的电阻率，使电特性大幅提高。CNT集合体(1)由多个具有1层以上的层结构的CNT的CNT束(11)、(11)、……构成。CNT束(11)是多个CNT(11a)、(11a)、……集中成束而成的束状体。在CNT集合体(11)中，具有2层结构或3层结构的CNT的个数之和相对于多个CNT(11a)、(11a)、……的个数的比率为75％以上，并且，在源于拉曼光谱法中的拉曼光谱的G带的峰中，源于半导体性的CNT的G+/Gtotal比为0.70以上。