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公开(公告)号：CN109320255A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811332328.8
申请日：2018-11-09
Applicant: 厦门钜瓷科技有限公司
IPC: C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供了芯片用高导热陶瓷散热器的制备方法，包括以下步骤：S1，将氮化铝粉末与烧结助剂在易挥发有机溶剂中进行球磨混合后与粘结剂进行混炼，然后冷却后取出喂料；S2，将喂料破碎后，利用注射成形成形，注射温度为150～200℃，得氮化铝生坯散热翅片；S3，根据选用粘结剂的不同，采用不同的方式对所述氮化铝生坯散热翅片进行脱脂，得到脱脂氮化铝坯体散热翅片；S4，在流动惰性气体氛围下，将脱脂氮化铝坯体散热翅片烧结冷却至室温，得到注射成形氮化铝陶瓷散热翅片；S5，直接将所述氮化铝陶瓷散热翅片的背面进行金属化，并将金属层刻蚀导电线路，最后将所述将芯片直接焊接封装在氮化铝陶瓷散热器背面。
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公开(公告)号：CN109264680A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811333810.3
申请日：2018-11-09
Applicant: 厦门钜瓷科技有限公司
IPC: C01B21/072
Abstract: 本发明提供了一种基于醇铝水解法制备高纯超细氮化铝粉末的方法，包括：S1，将高纯铝锭轧制或裁切成直径小于等于2mm的铝丝或铝屑；S2，将铝丝或铝屑与异丙醇与催化剂进行催化反应得到含异丙醇铝的溶液；S3，将异丙醇铝蒸馏出来后冷凝回收得到提纯后的异丙醇铝；S4，将提纯后的异丙醇铝溶于高纯非极性溶剂中，搅拌均匀；再将无定形碳按照配比逐渐加入溶剂中，超声搅拌至无定形碳完全溶解获得混合溶液并加热到50～70℃后，通入超纯水蒸气获得铝源和碳源的均匀沉淀物，经滤布过滤后真空干燥得到前驱体；S6，将所述前驱体在高纯含氮气氛中1200～1500℃煅烧得到氮化产物；S7，将所述氮化产物在空气中加热至600～800℃，保温1～4h除去残余的无定形碳，得到所述高纯超细氮化铝粉末。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN209263643U
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201822058661.6
申请日：2018-12-07
Applicant: 厦门钜瓷科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种高洁净度节能型金属热场真空烧结炉，包括：水冷炉体、设置于所述水冷炉体内壁的保温层、设置于所述水冷炉体内壁的金属隔热屏、设置于所述金属隔热屏内壁的金属发热体、设置于所述金属发热体之间的金属料架；所述水冷炉体为横向设置的管状结构，所述金属发热体沿所述管状结构的长度方向间隔设置；所述金属发热体通过电缆依次与变压器以及控制柜电连接；所述水冷炉体通过管道顺序连接第一球阀、罗兹泵、第二球阀、滑阀泵以及出气管道；所述金属隔热屏的材料选用精轧钨片或钼片；所述保温层的材料选用高纯氧化铝纤维、氧化锆纤维或高纯氧化铝泡沫砖。
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公开(公告)号：CN209592020U
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201821925192.7
申请日：2018-11-21
Applicant: 厦门钜瓷科技有限公司
IPC: H01L23/373
Abstract: 本实用新型提供了一种IGBT叶片散热器件，包括：氮化铝陶瓷散热单元，包括氮化铝陶瓷基板以及设置于所述氮化铝陶瓷基板表面的多个氮化铝陶瓷叶片；铜金属焊接层，间隔设置于所述氮化铝陶瓷基板的远离所述氮化铝陶瓷叶片的表面；IGBT芯片，通过焊层焊接于所述铜金属焊接层远离所述氮化铝陶瓷叶片的表面；第一引线，焊接于所述IGBT芯片以及所述铜金属焊接层之间；氮化铝导热树脂层，覆盖于所述铜金属焊接层、所述IGBT芯片以及所述第一引线上；封装层，封装于所述氮化铝导热树脂层的外表面；第二引线，其一端焊接于所述铜金属焊接层上，另一端从所述封装层中引出。
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公开(公告)号：CN209583634U
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201822071614.5
申请日：2018-12-10
Applicant: 厦门钜瓷科技有限公司
IPC: C01B21/076 , C01B21/072 , C01B21/068 , C01B21/06 , C01B21/082
Abstract: 本实用新型提供了一种连续式氮化-除碳反应炉，包括氮化反应部分加热炉体以及除碳反应部分炉体；氮化反应部分加热炉体包括：设置于第一支撑板一端的第一升降机构、设置于第一支撑板上的第一支撑轮、架设于第一支撑轮上的石墨炉管、带动石墨炉管旋转的第一旋转电机、设置于石墨炉管一端的第一进料管、以及用于加热石墨炉管的第一加热装置。除碳反应部分炉体包括设置于第二支撑板一端的第二升降机构、设置于第二支撑板上的第二支撑轮、架设于第二支撑轮上的石英炉管、带动石英炉管旋转的第二旋转电机、设置于石英炉管一端的第二进料管、第二调速螺杆下料机构、以及用于加热石英炉管的第二加热装置。
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公开(公告)号：CN212033006U
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202020460859.1
申请日：2020-04-01
Applicant: 厦门钜瓷科技有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/473 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型提供了一种IGBT流体散热器件，包括：氮化铝陶瓷散热单元，包括中空管道以及流经所述中空管道的冷却液介质；铜金属焊接层，间隔设置于所述中空管道的外表面；IGBT芯片，通过焊层焊接于所述铜金属焊接层远离所述中空管道的表面；第一引线，焊接于所述IGBT芯片以及所述铜金属焊接层之间；氮化铝导热树脂层，覆盖于所述铜金属焊接层、所述IGBT芯片以及所述第一引线上；封装层，封装于所述氮化铝导热树脂层的外表面；第二引线，其一端焊接于所述铜金属焊接层上，另一端从所述封装层中引出。
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公开(公告)号：CN209333714U
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201822058636.8
申请日：2018-12-07
Applicant: 厦门钜瓷科技有限公司
IPC: B01J8/02
Abstract: 本实用新型提供了一种底吸式气氛反应炉，包括：炉体、与所述炉体配合的炉盖、设置于所述炉体内壁的保温层、设置于所述保温层内壁的发热体以及设置于所述发热体之间的反应室；所述反应室包括上筒体以及与所述上筒体螺旋配合的下筒体；所述上筒体的顶部设置有筒盖及进气口；所述筒盖均匀分布有直径1～5mm第一通孔；所述上筒体的底部均匀分布有直径1～5mm第二通孔，且所述第二通孔与所述下筒体联通；所述上筒体进一步包括碳纤维布覆盖于所述第二通孔用于防止粉尘进入所述下筒体；所述下筒体的底部设置有管路以及真空球阀，且通过所述管路以及所述真空球阀与罗茨真空泵以及滑阀真空泵连接。
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