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公开(公告)号：CN114250073A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011027645.6
申请日：2020-09-25
Applicant: 厦门稀土材料研究所
Abstract: 本发明提供了一种近红外的长余辉纳米材料，其发光中心分别为Ce3+和Ln3+，其发光区域位于可见光及近红外一区及近红外二区。该材料可通过掺杂的Ln3+对长余辉发射峰在900‑1700nm范围内进行调控，还可通过基质材料组分A3AlxGayO12的调节，实现长余辉材料中陷阱深度的调节，从而实现长余辉强度及时间的调节。本发明提供的长余辉发光材料的制备方法以盐微乳法进行合成，所合成的长余辉纳米材料的尺寸可控，粒径较小，分散性较好，成本低，对环境没有污染。
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