公开(公告)号：CN117238973A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311297294.4

申请日：2023-10-09

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 赵铭杰 ,  严嘉豪 ,  连水养 ,  陈奇珍 ,  黄奇辉

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，包括栅极、绝缘层、梯度或渐变有源层以及源/漏极，所述栅极为一图案化的第一金属薄膜，所述绝缘层生长在所述栅极上并作为栅介质层，在所述绝缘层上生长一层氧化物半导体形成该梯度或渐变有源层，在所述梯度或渐变有源层上生长一层第二金属薄膜形成所述源/漏极；所述梯度或渐变有源层具有靠近所述源/漏极的低载流子浓度氧化物层以及靠近所述绝缘层的高迁移率氧化物层，所述梯度或渐变有源层的电学特性呈梯度或渐变变化。

公开(公告)号：CN116815142A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310782190.6

申请日：2023-06-29

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 王尧天 ,  黄奇辉 ,  许嘉巡 ,  连水养 ,  李海城 ,  付万锵 ,  严嘉豪

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明公开了一种氧化铟镓锌薄膜及其制备方法、TFT器件，所述制备方法，基于高功率脉冲磁控溅射技术，且用于进行溅射的靶材的摩尔比例为In2O3:Ga2O3:ZnO＝1.8±0.2:1.4±0.2:1±0.2。本发明通过增加靶材中铟元素比例以提高薄膜迁移率，增加镓元素比例以抑制氧空位，从而降低载流子浓度。