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公开(公告)号：CN109545948A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811456666.2
申请日：2018-11-30
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明提供了一种提高正向光的LED芯片及其制备方法，涉及半导体发光器件机制备技术领域，包括：衬底、N型GaN层、MQW层、P型GaN层、上电极、下电极以及金属反射墙；其中，N型GaN层未被MQW层以及P型GaN层覆盖的第一表面区域与MQW层以及P型GaN层形成台阶结构；上电极位于P型GaN层上；金属反射墙位于N型GaN层的第一表面区域上，且包围MQW层与P型GaN层，以形成一墙体；下电极位于N型GaN层的第一表面区域上，且位于金属反射墙以及MQW层之间。通过切割道区域内设有金属反射墙，金属反射墙制备于台阶结构上，形成墙体包围MQW层与P型GaN层。保证了有源发光层MQW层向外辐射的光，经由金属反射墙的反射作用，增加了光的反射，从而提高正向出光。
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公开(公告)号：CN209183566U
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201822006986.X
申请日：2018-11-30
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本实用新型提供了一种提高正向光的LED芯片，涉及半导体发光器件机制备技术领域，包括：衬底、N型GaN层、MQW层、P型GaN层、上电极、下电极以及金属反射墙；其中，N型GaN层未被MQW层以及P型GaN层覆盖的第一表面区域与MQW层以及P型GaN层形成台阶结构；上电极位于P型GaN层上；金属反射墙位于N型GaN层的第一表面区域上，且包围MQW层与P型GaN层，以形成一墙体；下电极位于N型GaN层的第一表面区域上，且位于金属反射墙以及MQW层之间。通过切割道区域内设有金属反射墙，金属反射墙制备于台阶结构上，形成墙体包围MQW层与P型GaN层。保证了有源发光层MQW层向外辐射的光，经由金属反射墙的反射作用，增加了光的反射，从而提高正向出光。
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