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公开(公告)号：CN115948765A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310102288.2
申请日：2023-02-10
Applicant: 厦门理工学院
IPC: C25B11/089 , C25B11/054 , C25B1/04 , C25D3/56
Abstract: 本发明涉及一种Ni‑Se‑P电极及其制备方法，包括以下步骤：(1)将导电基体进行清洗，烘干备用；(2)配置电镀水溶液，所述电镀水溶液包括镍盐、二氧化硒、磷酸盐、锂盐和导电剂；(3)以步骤(1)处理好的所述导电基体为工作电极，石墨为辅助电极，饱和甘汞电极为参比电极，在步骤(2)得到的所述电镀水溶液中进行循环伏安电沉积，得到Ni‑Se‑P电极。本发明通过循环伏安电沉积的方式制备的Ni‑Se‑P电极具有比表面积高、催化活性强、使用寿命高等优点。本发明合成方法简单，生产成本低廉且催化层结构牢靠，适用于大规模工业化生产。该电催化剂材料在在能源转化和存储等方面具有广阔的应用前，可实现高效、稳定产氢与尿素污染处理，推动氢能产业发展。
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