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公开(公告)号:CN119843202A
公开(公告)日:2025-04-18
申请号:CN202510027692.7
申请日:2025-01-08
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明提供了一种改良的双腔锡滴喷射装置,涉及集成电路制造光刻设备技术领域。包括锡滴本体,所述锡滴本体包括加热腔以及适于与所述加热腔连通的喷射腔,所述加热腔与所述喷射腔之间设置有连通阀组件以自动控制所述加热腔与喷射腔的通断。通过采用两腔设计,将加热部分与喷射部分隔离开,既保证了整体的液态金属容量大,加热速度快,还进一步缩小了喷射部分的体积,使磁铁间距缩小,增强了磁力。