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公开(公告)号：CN108597986A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810411512.5
申请日：2018-05-02
Abstract: 一种基于预氧化处理的硅纳米线阵列的制备方法，涉及微纳米材料。1)将硅片清洗；将步骤1)得到的预清洗硅片置入H2O2溶液反应，在预清洗硅片表面形成一层二氧化硅层，得到预氧化硅片；将步骤2)得到的预氧化硅片用改良的RCA方法清洗；将步骤3)得到的硅片浸入HF水溶液，去除硅片表面的二氧化硅层，采用金属辅助刻蚀法在硅片表面制备基于预氧化处理的硅纳米线阵列。完成每一步骤后最好用去离子水充分清洗硅片。所制备的基于预氧化处理的硅纳米线阵列中硅纳米线的长度可为0.500～8.000μm，反射率可为2.24％～1.50％。
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