公开(公告)号：CN119384091A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411486246.4

申请日：2024-10-23

Applicant: 厦门大学 ,  厦门大学九江研究院

Inventor： 张峰 ,  刘佳 ,  洪荣墩 ,  张锐军 ,  李梓聪 ,  沈祖俊

IPC: H10F77/14 ,  H10F30/225 ,  H10F71/00

Abstract: 一种开窗式电荷层分离的SACM结构碳化硅紫外雪崩光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。探测器自下而上设有碳化硅高掺杂n+型衬底、碳化硅n型缓冲层、碳化硅低掺杂n‑层，n‑层中设小面积均匀分布的分离式碳化硅n型电荷层，n型电荷层上为碳化硅低掺杂n‑型倍增层，n‑型倍增层上对应分离式n型电荷层处设开窗式碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层，p+型欧姆接触层开窗处设二氧化硅钝化隔离层，p+型欧姆接触层上表面设p+型欧姆接触电极，n+型衬底的背面设n+型欧姆接触电极。通过多个小面积SACM结构和i‑n结构组成，电场相互连接耦合，加速光生载流子至倍增层产生雪崩击穿，实现微弱紫外信号探测。

公开(公告)号：CN119815945A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411951192.4

申请日：2024-12-27

Applicant: 厦门大学 ,  厦门大学九江研究院

Inventor： 张峰 ,  刘佳 ,  洪荣墩 ,  田自谦 ,  沈祖俊

IPC: H10F30/225 ,  H10F30/223 ,  H10F77/30 ,  H10F77/1226 ,  H10F71/00

Abstract: 一种p+区与p‑区环状间隔的埋层结构碳化硅紫外雪崩光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。包含高掺杂n+型衬底、n型缓冲层、低掺杂n‑型吸收层，其中设有环状n型电荷埋层。对应埋层位置设环状高掺杂p+型欧姆接触层，其间隔处为环状低掺杂p‑型吸收层。器件上表面覆盖二氧化硅钝化层，边缘设p+型欧姆接触电极，背面设n+型欧姆接触电极。该结构由多个环状p+‑i‑n和p‑‑i‑n+结构组成，电场耦合使光生载流子加速至p+‑i‑n结构产生雪崩击穿，降低雪崩电压，同时提高光生载流子收集效率，实现高响应度、高外量子效率和紫外全波段探测。

公开(公告)号：CN119815943A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411951440.5

申请日：2024-12-27

Applicant: 厦门大学 ,  厦门大学九江研究院

Inventor： 张峰 ,  刘佳 ,  洪荣墩 ,  李梓聪 ,  沈祖俊

IPC: H10F30/223 ,  H10F77/14 ,  H10F77/1226 ,  H10F71/00

Abstract: 一种高量子效率的微结构碳化硅紫外光电探测器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。该探测器采用自下而上的结构设计，包括碳化硅高掺杂n+型衬底、n型缓冲层、低掺杂n‑型吸收层、低掺杂p‑型吸收层（内含微结构）、环形高掺杂p+型欧姆接触层及钝化隔离层。通过在p+型欧姆接触电极施加反向偏压，形成耗尽电场，微结构促使p‑‑i‑n结构电场相互连接耦合，提高光生载流子耗尽效率，增强器件响应度和外量子效率。同时，微结构使短波紫外信号直接穿透p‑型吸收层进入内部吸收层，避免p+型欧姆接触层表面缺陷导致的光生载流子复合，提高光生载流子收集的效率，实现紫外全波段探测。

公开(公告)号：CN115172476A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210880517.9

申请日：2022-07-25

Applicant: 厦门大学九江研究院

Inventor： 张明昆 ,  洪荣墩 ,  张峰 ,  吴正云

IPC: H01L31/0216 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种具有超构表面的等离激元增强4H‑SiC MSM紫外光电探测器及其制备方法，所述紫外光电探测器包括4H‑SiC衬底层，所述4H‑SiC衬底层上设有N型缓冲层，所述N型缓冲层上设有轻掺杂的N‑外延层，所述轻掺杂的N‑外延层上设有超构表面结构和石墨烯透明电极，所述石墨烯透明电极为叉指电极，所述超构表面结构位于所述石墨烯透明电极的间隙中，所述超构表面结构的顶部设有Al纳米结构。本发明通过超构表面、石墨烯电极以及等离激元增强的光吸收使得光生电子空穴对的数量提高，从而有效提高器件的响应度和量子效率，提升紫外光电探测器的应用性能。

公开(公告)号：CN218037159U

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202221842362.1

申请日：2022-07-18

Applicant: 厦门大学九江研究院

Inventor： 张明昆 ,  洪荣墩 ,  张峰 ,  吴正云

IPC: G01R31/12 ,  G01R1/04 ,  G01J1/42 ,  G01J1/04

Abstract: 本实用新型涉及高压电气设备技术领域，具体公开了一种高压电气设备局部放电的监控装置，包括柜体和工控机显示器，柜体内部固定安装有高电场部件、工控机和框体，柜体外壁表面固定安装有无线信号发送器，柜体外部铰接安装有柜门，柜门内壁固定安装有两个同尺寸的支撑架。本实用新型技术方案通过朝向第一反射罩体内侧的紫外光电探测器可识别经过第一反射罩体反射的紫外光信号，有利于增大装置对高电场部件发射紫外光信号的捕捉能力，紫外光电探测器识别到紫外光信号时，工控机经过无线信号发送器和无线信号接收器，工控机显示器可提示监测到高电场部件发出紫外光信号，并且自动开启警报器进行警示，从而达到高压电气设备局部放电的监控效果。