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公开(公告)号：CN111446019A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201910075577.1
申请日：2019-01-25
IPC: G21H1/06
Abstract: 三维纳米结构氚伏电池，涉及一种同位素电池。呈三明治结构，从上到下依次为：顶部电极、三维纳米结构半导体和底部电极；所述三维纳米结构半导体是由半导体材料构成的三维网格框架结构，网格框架之间设有孔道间隙，三维纳米结构半导体设于底部电极与顶部电极之间，三维纳米结构半导体为氚基同位素源集成的三维纳米结构半导体，所述氚基同位素源贮存于半导体网格框架之间孔道间隙中的氚化金属，或为氚与三维纳米结构半导体材料复合形成的氚化半导体，或为氚化金属与氚化半导体的共存结构；所述氚化金属与三维纳米结构半导体形成肖特基接触或欧姆接触，同时还与顶部电极或底部电极连接。
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公开(公告)号：CN111446019B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201910075577.1
申请日：2019-01-25
IPC: G21H1/06
Abstract: 三维纳米结构氚伏电池，涉及一种同位素电池。呈三明治结构，从上到下依次为：顶部电极、三维纳米结构半导体和底部电极；所述三维纳米结构半导体是由半导体材料构成的三维网格框架结构，网格框架之间设有孔道间隙，三维纳米结构半导体设于底部电极与顶部电极之间，三维纳米结构半导体为氚基同位素源集成的三维纳米结构半导体，所述氚基同位素源贮存于半导体网格框架之间孔道间隙中的氚化金属，或为氚与三维纳米结构半导体材料复合形成的氚化半导体，或为氚化金属与氚化半导体的共存结构；所述氚化金属与三维纳米结构半导体形成肖特基接触或欧姆接触，同时还与顶部电极或底部电极连接。
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公开(公告)号：CN108862184A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810765279.0
申请日：2018-07-12
IPC: B81B3/00
Abstract: 一种同位素电池供能的谐振式声表面波无线传感器，涉及无线传感。设有同位素电池、微型充放电执行开关、谐振式声表面波无线传感器和发射天线；所述同位素电池使用同位素辐射源激励二氧化钛材料而产生亚微安级电流；所述充放电执行开关采用并联式悬臂梁MEMS开关结构，充放电执行开关设有基底、金属悬臂梁和接地电极；所述谐振式声表面波无线传感器设有衬底、反射栅、压电介质层和叉指电极，谐振式声表面波无线传感器用于在充电周期中收集同位素电池能量，存储能量大小与激励电压、叉指对数、孔径宽度、叉指单位电容等成正比；所述发射天线用于接收IDT上的频率变化信号，向外发送带有传感量信息的频率信号。
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公开(公告)号：CN119297435A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411415560.3
申请日：2024-10-11
Abstract: 一种氚伏水基锌离子电池，涉及同位素电池领域，正极包括集流体、纳米结构半导体薄膜、氚水辐射源、活性材料和导电材料；纳米结构半导体薄膜制备在集流体上；活性材料与导电材料混合后涂敷在在纳米结构半导体薄膜表面；氚水辐射源，以下列一种或多种形式存在：以结晶氚水的形式存在于纳米结构半导体薄膜和/或活性材料中；以液态氚水的形式存在于电解液中；电解液为含有锌离子的水溶液。本发明与传统的金属或半导体高温高压氚化技术相比，氚的加载工艺不影响半导体材料的整体物理性质。同时，氚水的化学结构稳定，不存在氚的迁移扩散和逸出问题，保证了电池材料的稳定性。
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公开(公告)号：CN116435628A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310477491.8
申请日：2023-04-28
Abstract: 辐伏‑锂电一体化电池，包括从上到下依次设置的集流体、负极和隔膜以及填充于电池内的锂电电解液；还包括导电材料、半导体纳米棒阵列薄膜、活性材料层、同位素辐射源以及底部电极；所述半导体纳米棒阵列薄膜垂直设于底部电极上；所述活性材料层附着在半导体纳米棒阵列薄膜的表面或者填充在半导体纳米棒阵列薄膜的间隙或者上方、或者与导电材料混合后填充于半导体纳米棒阵列薄膜的间隙或者上方；所述同位素辐射源设于半导体纳米棒阵列薄膜的间隙中。本发明集辐伏发电和锂电池储能结构一体化，具有将同位素的辐射能转换为电能并利用锂电结构储能的功能，该电池提高了同位素电池的能量利用效率和输出功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108862184B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810765279.0
申请日：2018-07-12
IPC: B81B3/00
Abstract: 一种同位素电池供能的谐振式声表面波无线传感器，涉及无线传感。设有同位素电池、微型充放电执行开关、谐振式声表面波无线传感器和发射天线；所述同位素电池使用同位素辐射源激励二氧化钛材料而产生亚微安级电流；所述充放电执行开关采用并联式悬臂梁MEMS开关结构，充放电执行开关设有基底、金属悬臂梁和接地电极；所述谐振式声表面波无线传感器设有衬底、反射栅、压电介质层和叉指电极，谐振式声表面波无线传感器用于在充电周期中收集同位素电池能量，存储能量大小与激励电压、叉指对数、孔径宽度、叉指单位电容等成正比；所述发射天线用于接收IDT上的频率变化信号，向外发送带有传感量信息的频率信号。
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公开(公告)号：CN107945901A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711436875.6
申请日：2017-12-26
Applicant: 深圳贝塔能量技术有限公司 , 厦门大学深圳研究院
Abstract: 本发明公开了一种量子点贝塔伏特电池，其包括置于底部电极(5)和顶部电极(1)之间的半导体纳米管阵列薄膜(4)，所述半导体纳米管的管内壁上涂有量子点层(7)，所述量子点层(7)上又涂有固态同位素辐射源层(3)，或者所述量子点层(7)所围成的管状空间填充有气态或液态同位素辐射源。本发明向半导体纳米管中引入量子点，提高了贝塔伏特电池的短路电流和开路电压以及能量转换效率。
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公开(公告)号：CN107945901B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201711436875.6
申请日：2017-12-26
Applicant: 深圳贝塔能量技术有限公司 , 厦门大学深圳研究院
Abstract: 本发明公开了一种量子点贝塔伏特电池，其包括置于底部电极(5)和顶部电极(1)之间的半导体纳米管阵列薄膜(4)，所述半导体纳米管的管内壁上涂有量子点层(7)，所述量子点层(7)上又涂有固态同位素辐射源层(3)，或者所述量子点层(7)所围成的管状空间填充有气态或液态同位素辐射源。本发明向半导体纳米管中引入量子点，提高了贝塔伏特电池的短路电流和开路电压以及能量转换效率。
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公开(公告)号：CN211150116U
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201920132344.6
申请日：2019-01-25
IPC: G21H1/06
Abstract: 一种三维纳米结构氚伏电池，涉及一种同位素电池。呈三明治结构，从上到下依次为：顶部电极、三维纳米结构半导体和底部电极；所述三维纳米结构半导体是由半导体材料构成的三维网格框架结构，网格框架之间设有孔道间隙，三维纳米结构半导体设于底部电极与顶部电极之间，三维纳米结构半导体为氚基同位素源集成的三维纳米结构半导体，所述氚基同位素源贮存于半导体网格框架之间孔道间隙中的氚化金属，或为氚与三维纳米结构半导体材料复合形成的氚化半导体，或为氚化金属与氚化半导体的共存结构；所述氚化金属与三维纳米结构半导体形成肖特基接触或欧姆接触，同时还与顶部电极或底部电极连接。
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公开(公告)号：CN220155599U
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202321008240.7
申请日：2023-04-28
Abstract: 一种辐伏‑锂电一体化电池，包括从上到下依次设置的集流体、负极和隔膜以及填充于电池内的锂电电解液；还包括导电材料、半导体纳米棒阵列薄膜、活性材料层、同位素辐射源以及底部电极；所述半导体纳米棒阵列薄膜垂直设于底部电极上；所述活性材料层附着在半导体纳米棒阵列薄膜的表面或者填充在半导体纳米棒阵列薄膜的间隙或者上方、或者与导电材料混合后填充于半导体纳米棒阵列薄膜的间隙或者上方；所述同位素辐射源设于半导体纳米棒阵列薄膜的间隙中。本实用新型集辐伏发电和锂电池储能结构一体化，具有将同位素的辐射能转换为电能并利用锂电结构储能的功能，该电池提高了同位素电池的能量利用效率和输出功率。
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