公开(公告)号：CN101673793B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200910112613.3

申请日：2009-10-01

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  薛正群 ,  黄生荣 ,  田洪涛

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种GaN基LED芯片的制备方法，涉及一种LED芯片。提供一种不仅效果明显、操作简便、与常规器件工艺兼容，而且具有低串联电阻和良好P-型欧姆接触的GaN基LED芯片的制备方法。用溅射或蒸发的方法在LED外延片P-GaN表面沉积一层金属Zn薄膜；用激光器辐照样品的Zn/P-GaN表面；将样品表面剩余的Zn腐蚀掉，清洗后烘干；对处理好的样品进行ICP刻蚀，露出n型GaN层，光刻并溅射Ti/Al金属层，剥离后形成n型电极，退火；对样品再次进行光刻并在表面溅射Ni/Au金属层，剥离后形成p型电极，退火。

公开(公告)号：CN101673793A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910112613.3

申请日：2009-10-01

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈朝 ,  薛正群 ,  黄生荣 ,  田洪涛

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种GaN基LED芯片的制备方法，涉及一种LED芯片。提供一种不仅效果明显、操作简便、与常规器件工艺兼容，而且具有低串联电阻和良好P-型欧姆接触的GaN基LED芯片的制备方法。用溅射或蒸发的方法在LED外延片P-GaN表面沉积一层金属Zn薄膜；用激光器辐照样品的Zn/P-GaN表面；将样品表面剩余的Zn腐蚀掉，清洗后烘干；对处理好的样品进行ICP刻蚀，露出n型GaN层，光刻并溅射Ti/Al金属层，剥离后形成n型电极，退火；对样品再次进行光刻并在表面溅射Ni/Au金属层，剥离后形成p型电极，退火。

公开(公告)号：CN206502823U

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201720218541.0

申请日：2017-03-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡明刚 ,  李峰 ,  黄生荣

IPC: C12M1/34 ,  C12M1/04 ,  C12M1/00

Abstract: 一种微藻单面双层光生物培养架，涉及微藻培养设备。设有气路、温度湿度传感器、显示控制屏、线路柜、光源、培养架外框和横隔板；线路柜设在培养架外框内侧一边，传感器设有上下传感器，上下传感器分别设在线路柜内侧面的上下部；显示控制屏设在线路柜正面上；横隔板设在培养架外框内中部，横隔板一端固定在线路柜的内侧面上，横隔板另一端固定在培养架外框的右侧内壁上，气路设有上下气路，上下气路设在培养架外框顶板内侧和横隔板底部下方，在上下气路上设有气体调节阀，光源设有上下光源，上光源设有左右上光源，下光源设有左右下光源，左右上光源设在培养架外框的顶部与横隔板上表面之间，左右下光源设在横隔板下表面与培养架外框的底板之间。