-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116322074A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310064761.2
申请日：2023-01-12
Abstract: 本发明涉及钙钛矿光电器件技术领域，特别涉及一种含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件及其制备方法。该含磷物质体相修饰电子传输层的钙钛矿光电器件包括依次叠加的导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层以及背电极；所述电子传输层材质为体相掺杂有磷元素的电子传输材料。本发明采用含磷物质体相修饰电子传输层制备钙钛矿光电器件，通过含磷物质体相修饰电子传输层设计，可以有效地减少钙钛矿光电器件中电子传输层体相、界面中的缺陷，从而可以有效地降低钙钛矿光电器件的非辐射复合，提高器件的光电性能及稳定性。
-
公开(公告)号：CN116056535A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310063788.X
申请日：2023-01-12
Abstract: 本发明涉及钙钛矿光电器件技术领域，特别涉及一种电子传输层、红外热处理制备电子传输层的方法、钙钛矿光电器件及其制备方法。该红外热处理制备电子传输层的方法包括以下制备步骤：将电子传输材料前驱液涂覆到基底上形成涂层，而后采用近红外辐射涂层以完成加热退火处理，制得电子传输层。本发明采用近红外辐射加热退火方式，不会出现传统热板退火容易出现的随着模组面积增大导致电子传输层受热不均，从而影响电子传输层质量的情况；制得的电子传输层结构致密无孔洞，厚度均匀可控，增强了钙钛矿吸光层结晶性和钙钛矿晶粒尺寸分布均匀性，从而提高了钛矿光电器件的光电性能和稳定性，具有低生产成本、高效率、工艺简便、可控性和可重复性高的优点。
-
公开(公告)号：CN116322233A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310063984.7
申请日：2023-01-12
Abstract: 本发明涉及钙钛矿光电器件技术领域，特别涉及一种电子传输层、近红外预热处理基底制备电子传输层的方法、钙钛矿光电器件及其制备方法。该近红外预热处理基底制备电子传输层的方法包括以下制备步骤：先将基底预热，而后将电子传输层前驱液涂覆于预热完成的基底上形成涂层，对涂层进行加热退火处理，制得电子传输层；通过将电子传输材料于溶剂中均匀分散制得电子传输层前驱液，电子传输材料为n型半导体氧化物。本发明采用基底预热的方法，改善基底对电子传输层前驱体的浸润性，制得的电子传输层致密无孔洞，厚度均匀且可控，能够有效减少电子传输层制备过程中的缺陷和孔洞，改善电子传输层和钙钛矿吸光层的界面缺陷，提高器件的光电性能。
-
公开(公告)号：CN111799382B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202010615946.4
申请日：2020-06-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种含甲胺分子的钙钛矿前驱体的制备方法，包括：取组分1和组分2进行混合，然后溶于甲胺溶液中，得到澄清溶液；用非质子非极性溶剂1加入到该澄清溶液，分离得含甲胺分子的混合溶液；以及用非质子极性溶剂2加入到含甲胺分子的混合溶液，得到含甲胺分子的钙钛矿前驱体。其中，所述含甲胺溶液为甲胺醇溶液、甲胺水溶液或甲胺四氢呋喃溶液；所述组分1为有机胺卤化物或有机脒类卤化物中的至少一种，所述组分2为PbX2或SnX2中的至少一种。本发明提供的含甲胺分子的钙钛矿前驱体，其制备方法简单，重复性高，所制成的含甲胺分子的钙钛矿前驱体可在室温形成高质量钙钛矿薄膜，进而有利于大尺寸钙钛矿薄膜的制备。
-
公开(公告)号：CN111799382A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010615946.4
申请日：2020-06-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种含甲胺分子的钙钛矿前驱体的制备方法，包括：取组分1和组分2进行混合，然后溶于甲胺溶液中，得到澄清溶液；用非质子非极性溶剂1加入到该澄清溶液，分离得含甲胺分子的混合溶液；以及用非质子极性溶剂2加入到含甲胺分子的混合溶液，得到含甲胺分子的钙钛矿前驱体。其中，所述含甲胺溶液为甲胺醇溶液、甲胺水溶液或甲胺四氢呋喃溶液；所述组分1为有机胺卤化物或有机脒类卤化物中的至少一种，所述组分2为PbX2或SnX2中的至少一种。本发明提供的含甲胺分子的钙钛矿前驱体，其制备方法简单，重复性高，所制成的含甲胺分子的钙钛矿前驱体可在室温形成高质量钙钛矿薄膜，进而有利于大尺寸钙钛矿薄膜的制备。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.019 seconds)
