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公开(公告)号：CN100564241C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200710008512.2
申请日：2007-01-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: GaAs上微/纳光学元件制备方法，涉及一种微/纳光学元件。提供一种低成本、方法简单且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在半导体GaAs材料表面直接刻蚀加工微/纳光学阵列元件的制备方法。用具有微/纳光学阵列的石英为原始母版，将石英微/纳光学元件上的浮雕结构精确复制到高分子材料表面，并依次溅射Ti层和Pt层，表面金属化得模板电极；将模板电极作为工作电极，调节模板电极与被加工工件GaAs片平行；将电化学刻蚀溶液加入电解池，在模板电极上产生刻蚀剂，利用刻蚀溶液中的约束剂将刻蚀剂层厚度压缩至微米级或者纳米级厚度；控制GaAs片向模板电极表面移动，直至模板电极上的结构全部复制于被加工工件表面，控制两者分离。
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公开(公告)号：CN101271842A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200710008742.9
申请日：2007-03-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/3063 , B81C1/00
Abstract: P型硅表面微结构的电化学加工方法，涉及一种硅表面的加工。提供一种低成本、加工步骤简单且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在P型硅表面直接刻蚀加工微结构的新型电化学加工方法。包括以下步骤：将原始母版上的微结构转移至琼脂糖表面后浸泡于电解液中得存储有电解液的琼脂糖凝胶模板；再置于电解池中，将具有微结构的部分暴露于液面上；P型硅片经前处理后在背面溅射Pt层，形成欧姆接触，再将抛光面置于琼脂糖凝胶模板表面，将P型硅片作为工作电极，对P型硅片进行电化学抛光微加工，将琼脂糖凝胶模板上的微结构通过电化学抛光微加工转移至P型硅片表面得具有微结构的P型硅片后将具有微结构的P型硅片与琼脂糖两者分离。
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公开(公告)号：CN100501936C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710008742.9
申请日：2007-03-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/3063 , B81C1/00
Abstract: p型硅表面微结构的电化学加工方法，涉及一种硅表面的加工。提供一种低成本、加工步骤简单且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在P型硅表面直接刻蚀加工微结构的新型电化学加工方法。包括以下步骤：将原始母版上的微结构转移至琼脂糖表面后浸泡于电解液中得存储有电解液的琼脂糖凝胶模板；再置于电解池中，将具有微结构的部分暴露于液面上；P型硅片经前处理后在背面溅射Pt层，形成欧姆接触，再将抛光面置于琼脂糖凝胶模板表面，将P型硅片作为工作电极，对P型硅片进行电化学抛光微加工，将琼脂糖凝胶模板上的微结构通过电化学抛光微加工转移至P型硅片表面得具有微结构的P型硅片后将具有微结构的P型硅片与琼脂糖两者分离。
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公开(公告)号：CN101234744A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710008512.2
申请日：2007-01-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: GaAs上微/纳光学元件制备方法，涉及一种微/纳光学元件。提供一种低成本、方法简单且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在半导体GaAs材料表面直接刻蚀加工微/纳光学阵列元件的制备方法。用具有微/纳光学阵列的石英为原始母版，将石英微/纳光学元件上的浮雕结构精确复制到高分子材料表面，并依次溅射Ti层和Pt层，表面金属化得模板电极；将模板电极作为工作电极，调节模板电极与被加工工件GaAs片平行；将电化学刻蚀溶液加入电解池，在模板电极上产生刻蚀剂，利用刻蚀溶液中的约束剂将刻蚀剂层厚度压缩至微米级或者纳米级厚度；控制GaAs片向模板电极表面移动，直至模板电极上的结构全部复制于被加工工件表面，控制两者分离。
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