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公开(公告)号：CN113608371B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202110790767.9
申请日：2021-07-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种基于II类断带能隙量子阱的红外电吸收调制器，涉及半导体光电子领域。包含(i)至少一个吸收调制区，吸收调制区包含单周期或多周期的II类断带能隙量子阱结构；(ii)对II类断带能隙量子阱结构提供调制偏压的装置；一个周期单元的II类断带能隙量子阱结构由第一势垒、电子势阱、空穴势阱和第二势垒组成，电子势阱和空穴势阱置于第一势垒和第二势垒之间且不依赖相对叠放次序，电子势阱的体材料导带带边的能量低于空穴势阱的体材料价带带边的能量。可采用波导耦合构型或垂直入射构型，以较小偏压摆幅获得较大消光比，调制效率高。可同时对横磁模极化的中红外光和横电模极化的远红外光进行调制。器件覆盖面较小，适于半导体芯片集成。
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公开(公告)号：CN113608371A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110790767.9
申请日：2021-07-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种基于II类断带能隙量子阱的红外电吸收调制器，涉及半导体光电子领域。包含(i)至少一个吸收调制区，吸收调制区包含单周期或多周期的II类断带能隙量子阱结构；(ii)对II类断带能隙量子阱结构提供调制偏压的装置；一个周期单元的II类断带能隙量子阱结构由第一势垒、电子势阱、空穴势阱和第二势垒组成，电子势阱和空穴势阱置于第一势垒和第二势垒之间且不依赖相对叠放次序，电子势阱的体材料导带带边的能量低于空穴势阱的体材料价带带边的能量。可采用波导耦合构型或垂直入射构型，以较小偏压摆幅获得较大消光比，调制效率高。可同时对横磁模极化的中红外光和横电模极化的远红外光进行调制。器件覆盖面较小，适于半导体芯片集成。
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