公开(公告)号：CN108707875B

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201810541023.1

申请日：2018-05-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴雅苹 ,  何钦明 ,  吴志明 ,  张纯淼 ,  陈嘉俊 ,  康俊勇

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C30B25/14 ,  C30B25/18 ,  C30B29/46

Abstract: 本发明公开了一种二维材料生长装置及其接头，以及运用装置的生长方法和制备的组分可调二维材料，包括层状二维材料及其异质结和非层状二维薄膜材料，进一步包括多元二维材料、组分可调的二维混晶材料和二维异质结材料，所述异质结包括单层或多层的垂直异质结和侧向异质结。本发明装置和方法创造性地在CVD生长设备上设计多个可观察的、可独立控制加热温度和时间、可准确控制蒸发源材料通断的蒸发源加热腔，从而提高了二维材料组分和异质结界面的可控性，很好地改善了管式CVD炉多温区蒸发源之间温度的互相影响，解决了二维材料生长过程中元素组分不易调控和异质结界面互扩散的问题，提高二维材料及其异质结的生长效率和晶体质量。

公开(公告)号：CN108707875A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201810541023.1

申请日：2018-05-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴雅苹 ,  何钦明 ,  吴志明 ,  张纯淼 ,  陈嘉俊 ,  康俊勇

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C30B25/14 ,  C30B25/18 ,  C30B29/46

Abstract: 本发明公开了一种二维材料生长装置及其接头，以及运用装置的生长方法和制备的组分可调二维材料，包括层状二维材料及其异质结和非层状二维薄膜材料，进一步包括多元二维材料、组分可调的二维混晶材料和二维异质结材料，所述异质结包括单层或多层的垂直异质结和侧向异质结。本发明装置和方法创造性地在CVD生长设备上设计多个可观察的、可独立控制加热温度和时间、可准确控制蒸发源材料通断的蒸发源加热腔，从而提高了二维材料组分和异质结界面的可控性，很好地改善了管式CVD炉多温区蒸发源之间温度的互相影响，解决了二维材料生长过程中元素组分不易调控和异质结界面互扩散的问题，提高二维材料及其异质结的生长效率和晶体质量。

公开(公告)号：CN210379098U

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201920995759.6

申请日：2019-06-28

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴雅苹 ,  周江鹏 ,  陈嘉俊 ,  宋安柯 ,  张纯淼 ,  吴志明 ,  康俊勇

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

Abstract: 本实用新型公开一种基于自旋注入的电控自旋发光二极管器件，包括导电基片、设置于导电基片上表面的p型氮化物、电子阻挡层、量子阱有源区、n型氮化物，氮化硼电子隧穿层、自旋注入层、盖层；所述自旋注入层的磁矩取向可通过电场调控，通过电场调控自旋注入层的磁矩取向在平内与垂直方向上快速翻转，可分别在发光二极管的侧向与正向产生具有自旋极化的旋光。