公开(公告)号：CN1800983A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510048367.1

申请日：2005-12-31

Applicant: 厦门大学

Inventor： 钟灿 ,  林凡 ,  李静 ,  吴孙桃 ,  罗仲梓

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 集成电路反剥离光刻方法，涉及一种集成电路光刻方法，尤其是涉及一种采用改进的反剥离工艺的集成电路光刻方法。提供一种改进的集成电路反剥离光刻方法。其步骤为在硅片表面先后涂增粘剂层和反转光刻胶层后烘胶，烘胶后在硅片表面再次涂反转光刻胶层，前烘后掩膜曝光，用掩膜板遮挡；反转烘后泛曝光，再显影，淀积金层，金厚度为2μm；将溅射好金的硅片用丙酮浸泡至少4h；将浸泡过丙酮的硅片放入超声仪中进行超声剥离。解决了业内一直没有解决的在金膜较厚情况下反剥离工艺技术问题，通过工艺流程与工艺条件的改进，尤其是在涂胶工艺中，采用先涂一层胶，然后烘干后再涂第二层的工艺，显著地加厚了光刻胶的厚度，使反剥离工艺得到改进。

公开(公告)号：CN100437359C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200510048367.1

申请日：2005-12-31

Applicant: 厦门大学

Inventor： 钟灿 ,  林凡 ,  李静 ,  吴孙桃 ,  罗仲梓

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 集成电路反剥离光刻方法，涉及一种集成电路光刻方法，尤其是涉及一种采用改进的反剥离工艺的集成电路光刻方法。提供一种改进的集成电路反剥离光刻方法。其步骤为在硅片表面先后涂增粘剂层和反转光刻胶层后烘胶，烘胶后在硅片表面再次涂反转光刻胶层，前烘后掩膜曝光，用掩膜板遮挡；反转烘后泛曝光，再显影，淀积金层，金厚度为2μm；将溅射好金的硅片用丙酮浸泡至少4h；将浸泡过丙酮的硅片放入超声仪中进行超声剥离。解决了业内一直没有解决的在金膜较厚情况下反剥离工艺技术问题，通过工艺流程与工艺条件的改进，尤其是在涂胶工艺中，采用先涂一层胶，然后烘干后再涂第二层的工艺，显著地加厚了光刻胶的厚度，使反剥离工艺得到改进。