公开(公告)号：CN109835870A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201910124346.5

申请日：2019-02-19

Applicant: 厦门大学

Inventor： 马盛林 ,  龚丹 ,  邱奕翔

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

Abstract: 本发明提供一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成封装方法和结构，首先在ASIC处理电路IC圆片的正面形成一层再布线层，紧接着在再布线层涂敷一层有机物，光刻刻蚀图形化形成微腔阵列；然后将MEMS器件的正面电极pad层与微腔阵列对准键合形成闭合空腔结构；将MEMS器件背面硅衬底层减薄抛光至所需厚度，光刻图形化刻蚀暴露出MEMS器件正面电极pad层、再布线层的电学接触区；最后，制作金属连接件连接电极Pad层以及电学接触区。本发明降低了MEMS器件的整体体积、成本，实现芯片倒装键合、提高成品率。

公开(公告)号：CN109835870B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201910124346.5

申请日：2019-02-19

Applicant: 厦门大学

Inventor： 马盛林 ,  龚丹 ,  邱奕翔

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

Abstract: 本发明提供一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成封装方法和结构，首先在ASIC处理电路IC圆片的正面形成一层再布线层，紧接着在再布线层涂敷一层有机物，光刻刻蚀图形化形成微腔阵列；然后将MEMS器件的正面电极焊盘层与微腔阵列对准键合形成闭合空腔结构；将MEMS器件背面硅衬底层减薄抛光至所需厚度，光刻图形化刻蚀暴露出MEMS器件正面电极焊盘层、再布线层的电学接触区；最后，制作金属连接件连接电极焊盘层以及电学接触区。本发明降低了MEMS器件的整体体积、成本，实现芯片倒装键合、提高成品率。