-
公开(公告)号：CN103482588A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310405032.5
申请日：2013-09-09
Applicant: 厦门大学
Abstract: 硒化铅包裹碲化铅树枝晶复合材料及其制备方法，涉及热电材料。提供一种反应温度低，工艺简单，环境友好，且合成的粉体纯度高，形貌较好的硒化铅包裹碲化铅树枝晶复合材料及其制备方法。所述硒化铅包裹碲化铅树枝晶复合材料由碲化铅和硒化铅组成，其中，化学计量比的PbTe被化学计量比的PbSe包裹。将Pb(CH3COO)2·3H2O、TeO2和SeO2按Pb∶Te∶Se=2∶1∶1的摩尔比溶解到氢氧化钠水溶液中，加入NaBH4，混合后得前驱液，再移入反应釜中，在温度为160～200℃下保温18～22h后停止反应，待反应温度降至室温后，分离出沉淀物，洗涤至中性后恒温干燥，得硒化铅包裹碲化铅树枝晶复合材料。
-
公开(公告)号：CN102560573A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210059186.9
申请日：2012-03-08
Applicant: 厦门大学
IPC: C25D3/54
Abstract: 一种锗单质薄膜的制备方法，涉及一种薄膜。导电基片预处理；配制Ge4+离子电解质溶液：将二氧化锗和碱溶液在容量瓶中用超纯水配制锗4价离子(Ge4+)的电解质溶液，调节pH值，加入支持电解质；使用三电极体系，控制反应电位为-900～-1500mV，沉积时间为100～10800s，进行电化学沉积反应，在导电基片上得到锗单质薄膜，结构稳定、平整致密、杂质含量低、膜层附着力强。能够有效避免采用磁控溅射法、化学气相沉积法或现有的电化学沉积法存在的工艺设备复杂。成本高昂、难以大规模生产等不足；具有成本低廉、生产周期短、制备工艺简单、产物质量稳定等优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101407001B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200810072185.1
申请日：2008-11-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种镍基无硼钎焊材料及其制备方法，涉及一种金属合金。提供一种熔化温度能够达到1000～1150℃、润湿性能优良、不含硼、可用于不锈钢钎焊、原料成本低、制备工艺简单、周期短、可较好代替传统的含硼镍基钎焊钎料的镍基无硼钎焊材料及其制备方法。其组成及其按质量百分比的含量为：铬0％～4％、硅2％～4％、锆13％～16％、锡21％～30％，余为镍。将铬等原料洗净后，在惰性气体下电弧熔解将其合金化得钮扣状试样后，通过初步切割为条状后封装入石英管中，充入惰性气体，得封装好的样品，放入反应炉中进行去应力退火热处理，得热处理后的条状试样；将热处理后的条状试样用线切割的方法切成所需的形状，得镍基无硼钎焊材料。
-
公开(公告)号：CN101407001A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810072185.1
申请日：2008-11-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种镍基无硼钎焊材料及其制备方法，涉及一种金属合金。提供一种熔化温度能够达到1000～1150℃、润湿性能优良、不含硼、可用于不锈钢钎焊、原料成本低、制备工艺简单、周期短、可较好代替传统的含硼镍基钎焊钎料的镍基无硼钎焊材料及其制备方法。其组成及其按质量百分比的含量为：铬0％～4％、硅2％～4％、锆13％～16％、锡21％～30％，余为镍。将铬等原料洗净后，在惰性气体下电弧熔解将其合金化得纽扣状试样后，通过初步切割为条状后封装入石英管中，充入惰性气体，得封装好的样品，放入反应炉中进行去应力退火热处理，得热处理后的条状试样；将热处理后的条状试样用线切割的方法切成所需的形状，得镍基无硼钎焊材料。
-
公开(公告)号：CN102560589B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210058804.8
申请日：2012-03-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种Ge-Sb-Te三元相变材料薄膜的制备方法，涉及一种相变材料薄膜。将导电基片预处理；配制Ge4+离子电解质溶液；配制Sb3+和Te4+离子电解质溶液；恒电位沉积；恒电流沉积。在室温水溶液中通过简单的电化学沉积方法，制备结构稳定、平整致密、杂质含量低、膜层附着力强的Ge-Sb-Te三元相变材料薄膜。能够有效避免采用磁控溅射法、化学气相沉积法或现有的电化学沉积法存在的工艺设备复杂、成本高昂、难以大规模生产等不足；具有成本低廉、生产周期短、制备工艺简单、产物质量稳定等优点，在半导体领域尤其是相变存储材料的制备中有潜在的应用前景。
-
公开(公告)号：CN103482588B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201310405032.5
申请日：2013-09-09
Applicant: 厦门大学
Abstract: 硒化铅包裹碲化铅树枝晶复合材料及其制备方法，涉及热电材料。提供一种反应温度低，工艺简单，环境友好，且合成的粉体纯度高，形貌较好的硒化铅包裹碲化铅树枝晶复合材料及其制备方法。所述硒化铅包裹碲化铅树枝晶复合材料由碲化铅和硒化铅组成，其中，化学计量比的PbTe被化学计量比的PbSe包裹。将Pb(CH3COO)2·3H2O、TeO2和SeO2按Pb∶Te∶Se=2∶1∶1的摩尔比溶解到氢氧化钠水溶液中，加入NaBH4，混合后得前驱液，再移入反应釜中，在温度为160～200℃下保温18～22h后停止反应，待反应温度降至室温后，分离出沉淀物，洗涤至中性后恒温干燥，得硒化铅包裹碲化铅树枝晶复合材料。
-
公开(公告)号：CN102560589A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210058804.8
申请日：2012-03-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种Ge-Sb-Te三元相变材料薄膜的制备方法，涉及一种相变材料薄膜。将导电基片预处理；配制Ge4+离子电解质溶液；配制Sb3+和Te4+离子电解质溶液；恒电位沉积；恒电流沉积。在室温水溶液中通过简单的电化学沉积方法，制备结构稳定、平整致密、杂质含量低、膜层附着力强的Ge-Sb-Te三元相变材料薄膜。能够有效避免采用磁控溅射法、化学气相沉积法或现有的电化学沉积法存在的工艺设备复杂、成本高昂、难以大规模生产等不足；具有成本低廉、生产周期短、制备工艺简单、产物质量稳定等优点，在半导体领域尤其是相变存储材料的制备中有潜在的应用前景。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.024 seconds)
