公开(公告)号：CN105277514A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510833559.7

申请日：2015-11-25

Applicant: 厦门大学

Inventor： 朱锦锋 ,  张丽蓉 ,  白彦强 ,  严爽 ,  柳清伙

IPC: G01N21/41

Abstract: 可见光折射率传感器及其加工方法，涉及光传感器。可见光折射率传感器为3层结构，从下至上依次设有基片、纳米压印胶层、铬层和银层。加工方法：将基片置于匀胶机中，采用旋涂的方式将紫外固化纳米压印胶均匀地涂布在基片上，烘烤后在基片上形成纳米压印胶层；将表面干净的中间聚合物软膜放在镍模板表面进行热纳米压印，得中间聚合物软模板，在中间聚合物软模板表面得到与镍模板互补的纳米结构，以中间聚合物软模板为紫外纳米压印模板，将表面涂有纳米压印胶层的基片置于纳米压印光刻系统样品台上进行紫外纳米压印，在纳米压印胶层表面得到与中间聚合物模板互补的纳米结构；用电子束蒸镀仪先蒸镀铬层，再蒸镀银层，即得可见光折射率传感器。

公开(公告)号：CN104836004A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510288123.4

申请日：2015-05-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 朱锦锋 ,  李德龙 ,  白彦强 ,  蔡艺军 ,  张谅 ,  叶龙芳 ,  柳清伙

IPC: H01P5/08

Abstract: 变容二极管加载的电控可调波导口负载阻抗匹配器，涉及波导口阻抗匹配器。从上至下设有正面金属结构层、第一介质层、全金属反射短路层、第二介质层、背面馈电线路层；正面金属结构层设有上下方形金属环组，各金属环的左右对边中心处均设有开口，开口两端接变容二极管，相邻金属环的顶端之间和底端之间均设有隔直电阻；在上下方形金属环组的最左边下方形金属环的左上角处分别设有上左馈电引线孔，在上下方形金属环组的最右边下方形金属环的右下角处分别设有上右馈电引线孔；在背面馈电线路层上设有下左馈电引线孔和稳压电源正极馈电线，在背面馈电线路层上设有下右馈电引线孔和稳压电源负极馈电线，稳压电源正负极馈电线的中部断开并用电阻连接。

公开(公告)号：CN104836004B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201510288123.4

申请日：2015-05-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 朱锦锋 ,  李德龙 ,  白彦强 ,  蔡艺军 ,  张谅 ,  叶龙芳 ,  柳清伙

IPC: H01P5/08

Abstract: 变容二极管加载的电控可调波导口负载阻抗匹配器，涉及波导口阻抗匹配器。从上至下设有正面金属结构层、第一介质层、全金属反射短路层、第二介质层、背面馈电线路层；正面金属结构层设有上下方形金属环组，各金属环的左右对边中心处均设有开口，开口两端接变容二极管，相邻金属环的顶端之间和底端之间均设有隔直电阻；在上下方形金属环组的最左边下方形金属环的左上角处分别设有上左馈电引线孔，在上下方形金属环组的最右边下方形金属环的右下角处分别设有上右馈电引线孔；在背面馈电线路层上设有下左馈电引线孔和稳压电源正极馈电线，在背面馈电线路层上设有下右馈电引线孔和稳压电源负极馈电线，稳压电源正负极馈电线的中部断开并用电阻连接。

公开(公告)号：CN104849783A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510249705.1

申请日：2015-05-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 朱锦锋 ,  白彦强 ,  蔡艺军 ,  刘海 ,  柳清伙

IPC: G02B5/00

CPC classification number: G02B5/003

Abstract: 基于纳米压印工艺的可见与近红外光吸收体及其加工方法，涉及电磁波吸收体。所述基于纳米压印工艺的可见与近红外光吸收体为3层结构，从下至上依次为衬底、金属层和介电层，在介电层上设有金属微纳阵列。1)在衬底上蒸镀金属层，在金属层上沉积介电层；2)在步骤1)所得的介电层上制备双层胶膜，所述双层胶膜由正性光刻胶底层和纳米压印胶顶层组成；3)将步骤2)中所得的基片置于纳米压印设备里，利用中间聚合物模板压印，然后脱模，得到压印图形；4)利用等离子刻蚀去除压印残留的纳米压印胶，利用正胶显影液浸泡去除露在外面的正性光刻胶；5)在步骤4)的基片上蒸镀一层金属材料；6)去除多余的双层胶膜，得到金属微纳阵列。

公开(公告)号：CN204575880U

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201520316108.1

申请日：2015-05-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 朱锦锋 ,  白彦强 ,  蔡艺军 ,  刘海 ,  柳清伙

IPC: G02B5/00

Abstract: 一种基于纳米压印工艺的可见与近红外光吸收体，涉及电磁波吸收体。本实用新型为3层结构，从下至上依次为衬底、金属层和介电层，在介电层上设有金属微纳阵列。所述衬底采用单面抛光硅片。所述金属层可采用金层或银层；所述金属层的厚度可大于100nm。所述介电层采用介电氧化物层，所述介电氧化物层可选自Al2O3或SiO2；所述介电层的厚度可为10～50nm。采用电子束直写技术制作的纳米压印模板，其精密程度完全可以满足器件对阵列周期以及阵列直径的要求。精确模板的使用可以很好地保证每个阵列单元的一致性。由于纳米压印技术的采用，使器件的制作成本降低，且可用于工业中的大量生产。

公开(公告)号：CN204614913U

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201520363273.2

申请日：2015-05-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 朱锦锋 ,  李德龙 ,  白彦强 ,  蔡艺军 ,  张谅 ,  叶龙芳 ,  柳清伙

IPC: H01P5/08

Abstract: 一种变容二极管加载的电控可调波导口负载阻抗匹配器，涉及波导口阻抗匹配器。从上至下设有正面金属结构层、第一介质层、全金属反射短路层、第二介质层、背面馈电线路层；正面金属结构层设有上下方形金属环组，各金属环的左右对边中心处均设开口，开口两端接变容二极管，相邻金属环顶端之间和底端之间均设隔直电阻；在上下方形金属环组的最左边下方形金属环的左上角处分别设有上左馈电引线孔，在上下方形金属环组的最右边下方形金属环的右下角处分别设有上右馈电引线孔；在背面馈电线路层上设有下左馈电引线孔和稳压电源正极馈电线，在背面馈电线路层上设有下右馈电引线孔和稳压电源负极馈电线，稳压电源正负极馈电线的中部断开并用电阻连接。

公开(公告)号：CN205139007U

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201520951352.5

申请日：2015-11-25

Applicant: 厦门大学

Inventor： 朱锦锋 ,  张丽蓉 ,  白彦强 ,  严爽 ,  柳清伙

IPC: G01N21/41

Abstract: 一种可见光折射率传感器，涉及光传感器。为3层结构，从下至上依次设有基片、纳米压印胶层、铬层和银层，所述纳米压印胶层涂布在基片的上表面，纳米压印胶层的上表面沉积均匀周期排列的微纳米金属圆孔洞阵列，铬层蒸镀在纳米压印胶层上，银层蒸镀在铬层上。纳米压印胶层的厚度可为200～250nm；铬层的厚度可为10～20nm；银层的厚度可为200～250nm；所述周期可为500～600nm。工艺简单、尺寸小、灵敏度高、成本低，让可见光折射率传感器的应用更加广泛。