公开(公告)号：CN109742184A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201811511371.0

申请日：2018-12-11

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  王君 ,  王亚平 ,  赵阳

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种半导体包裹金属纳米线的制备方法，涉及一维核壳结构纳米材料。以水热法合成质量高的纯金属纳米线，将半导体(如AlN、InN、GaN、ZnO等)材料直接包裹于金属纳米线表面，形成核壳结构，从而在一维的单根纳米线上实现了金属-半导体接触。这种新型的核壳纳米材料结合了半导体与导体的特性，可以用于制作功能性异质结构的半导体器件，实现纳米线网络上的纳米器件，在光电信息领域可以得到广泛的应用。

公开(公告)号：CN109742184B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201811511371.0

申请日：2018-12-11

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  王君 ,  王亚平 ,  赵阳

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种半导体包裹金属纳米线的制备方法，涉及一维核壳结构纳米材料。以水热法合成质量高的纯金属纳米线，将半导体(如AlN、InN、GaN、ZnO等)材料直接包裹于金属纳米线表面，形成核壳结构，从而在一维的单根纳米线上实现了金属‑半导体接触。这种新型的核壳纳米材料结合了半导体与导体的特性，可以用于制作功能性异质结构的半导体器件，实现纳米线网络上的纳米器件，在光电信息领域可以得到广泛的应用。