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公开(公告)号:CN102360958B
公开(公告)日:2012-09-26
申请号:CN201110304087.8
申请日:2011-09-30
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: ZnS/Au/TiO2纳米复合膜光阳极的制备方法,涉及一种光阳极。以钛箔作为基体,经10%(w)HNO3+1%(w)HF溶液刻蚀处理后清洗;以基体为阳极,铂片为阴极,进行电化学阳极氧化,将制得的样品清洗干燥后热处理,得在钛表面制备TiO2纳米管阵列膜的基体;先将NaOH溶液加入HAuCl4溶液,得混合溶液,再将钛表面制备TiO2纳米管阵列膜的基体放入混合溶液中反应,得Au修饰的TiO2纳米管阵列膜的基体;以Zn(NO3)2乙醇溶液和Na2S甲醇溶液分别作为Zn源和S源,将Au修饰的TiO2纳米管阵列膜表面依次在Zn源和S源的溶液中浸泡后清洗,得ZnS/Au/TiO2纳米复合膜光阳极。
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公开(公告)号:CN102360958A
公开(公告)日:2012-02-22
申请号:CN201110304087.8
申请日:2011-09-30
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: ZnS/Au/TiO2纳米复合膜光阳极的制备方法,涉及一种光阳极。以钛箔作为基体,经10%(w)HNO3+1%(w)HF溶液刻蚀处理后清洗;以基体为阳极,铂片为阴极,进行电化学阳极氧化,将制得的样品清洗干燥后热处理,得在钛表面制备TiO2纳米管阵列膜的基体;先将NaOH溶液加入HAuCl4溶液,得混合溶液,再将钛表面制备TiO2纳米管阵列膜的基体放入混合溶液中反应,得Au修饰的TiO2纳米管阵列膜的基体;以Zn(NO3)2乙醇溶液和Na2S甲醇溶液分别作为Zn源和S源,将Au修饰的TiO2纳米管阵列膜表面依次在Zn源和S源的溶液中浸泡后清洗,得ZnS/Au/TiO2纳米复合膜光阳极。
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公开(公告)号:CN104047043A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201410301453.8
申请日:2014-06-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: TiO2/SnO2半导体双层复合膜光阳极的制备方法,涉及半导体光阳极。提供具有高效光生阴极保护效应的TiO2/SnO2半导体双层复合膜光阳极的制备方法。1)以不锈钢作为基体试样,基体试样表面打磨成镜面,然后清洗;2)将SnCl2·2H2O溶解在水中,再加入NaNO3和硝酸,配制成电解质溶液,然后加水定容至1000mL,以铂作为对电极,饱和甘汞作为参比电极,基体试样作为工作电极,在电解质溶液中,电沉积后烘干,即在基体试样表面电沉积一层SnO2膜层;3)在步骤2)得到的SnO2膜层表面溅射TiO2膜,再热处理,即得TiO2/SnO2半导体双层复合膜光阳极。提高了TiO2纳米薄膜在暗态下对金属的光生阴极保护效应。
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公开(公告)号:CN104047043B
公开(公告)日:2016-08-31
申请号:CN201410301453.8
申请日:2014-06-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: TiO2/SnO2半导体双层复合膜光阳极的制备方法,涉及半导体光阳极。提供具有高效光生阴极保护效应的TiO2/SnO2半导体双层复合膜光阳极的制备方法。1)以不锈钢作为基体试样,基体试样表面打磨成镜面,然后清洗;2)将SnCl2·2H2O溶解在水中,再加入NaNO3和硝酸,配制成电解质溶液,然后加水定容至1000mL,以铂作为对电极,饱和甘汞作为参比电极,基体试样作为工作电极,在电解质溶液中,电沉积后烘干,即在基体试样表面电沉积一层SnO2膜层;3)在步骤2)得到的SnO2膜层表面溅射TiO2膜,再热处理,即得TiO2/SnO2半导体双层复合膜光阳极。提高了TiO2纳米薄膜在暗态下对金属的光生阴极保护效应。
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