公开(公告)号：CN1195981C

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN03130857.0

申请日：2003-05-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 沈德新 ,  周勇亮 ,  罗仲梓

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/416 ,  G01N35/00 ,  G01N33/68 ,  C12Q1/68

Abstract: 涉及一种聚二甲基硅氧烷芯片低真空键合方法。其步骤为将聚合后的硅橡胶样品新鲜剥离得芯片组件，放入真空腔，抽真空，用氧气反复冲洗，排出残余气体；再抽真空，加高压使真空腔内的氧气起辉，对芯片组件表面进行氧等离子体轰击，并与大气压平衡，打开真空腔，将经氧等离子体处理好的芯片组件贴合。其键合强度很高，经拉力实验测定，可超过PDMS本体的强度，仪器设备简单，要求的真空度较低。抽真空时间、放气时间短，提高了效率。

公开(公告)号：CN1484021A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03130857.0

申请日：2003-05-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 沈德新 ,  周勇亮 ,  罗仲梓

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/416 ,  G01N35/00 ,  G01N33/68 ,  C12Q1/68

Abstract: 涉及一种聚二甲基硅氧烷芯片低真空键合方法。其步骤为将聚合后的硅橡胶样品新鲜剥离得芯片组件，放入真空腔，抽真空，用氧气反复冲洗，排出残余气体：再抽真空，加高压使真空腔内的氧气起辉，对芯片组件表面进行氧等离子体轰击，并与大气压平衡，打开真空腔，将经氧等离子体处理好的芯片组件贴合。其键合强度很高，经拉力实验测定，可超过PDMS本体的强度，仪器设备简单，要求的真空度较低。抽真空时间、放气时间短，提高了效率。