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公开(公告)号：CN117737839A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311779287.8
申请日：2023-12-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种通过三甲基铟预流以平滑铝铟氮外延薄膜的方法。所述方法包括：将反应衬底放置于反应室内，当反应室温度升至生长温度时，往反应室内通入含有含铟前驱物的预流气体；通入时间达到预定时间后停止，开始进行铝铟氮外延薄膜的生长。本发明通过在铝铟氮外延薄膜生长前，将含有含铟前驱物的气流提前通入至反应室中，当中的铟能够作为表面活化剂，与生长衬底中的氮悬挂键相结合，从而减少了后续铝铟氮外延薄膜生长过程当中，Al原子与氮悬挂键相结合而被束缚的几率，从而能够增加表面吸附Al原子的扩散距离，进而并入到合适的晶格位点当中，最终形成平滑的铝铟氮外延薄膜生长表面。
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