公开(公告)号：CN117855318A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410021349.7

申请日：2024-01-06

Applicant: 厦门大学

Inventor： 杨伟锋 ,  林嘉隆 ,  龙明滔 ,  魏树博 ,  彭行坤 ,  张捷

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  C23C14/08 ,  C23C14/04 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种高响应度自供电日盲光电探测器及其制备方法。其中，所述方法包括：在衬底上沉积β‑Ga2O3薄膜；在β‑Ga2O3薄膜上，通过射频磁控溅射法原位生长CuCrO2薄膜，与CuCrO2薄膜构成异质结。本发明利用射频磁控溅射的方法在β‑Ga2O3薄膜上原位生长CuCrO2薄膜，从而完成了CuCrO2/β‑Ga2O3异质结的制备。本发明省去了制备CuCrO2/β‑Ga2O3异质结光电探测器的光刻和刻蚀等步骤，大大降低了工艺复杂度和制备成本，为大量制备CuCrO2/β‑Ga2O3异质结光电探测器提供了一种简便的方法。此外，采用本发明方法生长出来的CuCrO2薄膜表面致密，且厚度稳定均一。这种高质量的CuCrO2薄膜可以使光生载流子具有较高的迁移率，提高了收集效率，从而使光电探测器的性能更加优异。

公开(公告)号：CN117293193A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311264299.7

申请日：2023-09-27

Applicant: 厦门大学

Inventor： 杨伟锋 ,  洪梓凡 ,  彭行坤 ,  张捷

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种具有AlN势垒层的氧化镓肖特基二极管及制备方法。其中该氧化镓肖特基二极管包括设置于低掺杂外延层与阳极电极区之间AlN势垒层；该AlN势垒层的厚度不大于5nm。在氧化镓和阳极金属之间引入了超薄的AlN势垒层，可使氧化镓和阳极金属界面处形成高浓度自由电子，当器件在正向偏压下工作时，自由电子能够隧穿，从而保持低开启电压。进一步的，该AlN势垒层的厚度不大于5nm，其原因在于厚度过大将导致界面处自由电子浓度降低，且自由电子难以通过势垒层，从而影响器件正向导通性能。