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发明公开
利用金属过渡层转移GaN衬底的激光剥离方法无效

公开(公告)号：CN101118850A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710009396.6

申请日：2007-08-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 , 张小英 , 汪建元 , 赖虹凯

IPC: H01L21/18 , H01L21/20

Abstract: 利用金属过渡层转移GaN衬底的激光剥离方法，涉及一种利用金属过渡层键合硅和氮化镓，结合激光剥离技术将蓝宝石衬底上的GaN转移到Si衬底上的方法。提供一种利用金属过渡层转移GaN衬底的激光剥离方法。在硅衬底上依次溅射Ti和Au，得溅射有Ti和Au的硅片；在带蓝宝石衬底的GaN上依次溅射Ni和Au，得溅射有Ni和Au的氮化镓片；将硅片与氮化镓片面对面贴合，再放入键合机，温度为100～200℃，预键合后将键合机温度升高为200～600℃，退火，形成GaN/metal/Si键合片，再粘在玻璃片上，并固定在电动平台上，激光扫描，激光波长大于365nm，从蓝宝石一侧对键合片进行辐照即可。

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