公开(公告)号：CN1252799C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN03104016.0

申请日：2003-02-11

Applicant: 厦门大学

Inventor： 冯勇建 ,  吴青海

IPC: H01L21/02

Abstract: 涉及一种利用密封真空腔体和加力键合的硅与硅真空键合装置及键合方法。设有上盖、底座和密封圈，密封圈设于上盖与底座之间，在上盖和底座中设管道，在上盖或底座中由真空腔内至外部设真空腔管道。键合方法为在键合装置的密封真空键合腔体中灌入氧气或氮气，在腔体内形成正压，将硅片清洗，甩干后放入键合装置的上盖的下方和底座的上方，打开阀门，抽真空。可实用于硅与硅、硅与玻璃、硅与硅重掺杂P+面、硅与碳化硅、硅与砷化镓材料的预键合。预键合强度极强，广泛应用在SOI硅片的生产，微机电器件中硅面与硅面、硅面与氧化层面、硅面与P+掺杂面、硅面与碳化硅面、硅与玻璃材料键合的工艺。制作成本低，键合成功率高，容易成批量生产。

公开(公告)号：CN1521807A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN03104016.0

申请日：2003-02-11

Applicant: 厦门大学

Inventor： 冯勇建 ,  吴青海

IPC: H01L21/02

Abstract: 涉及一种利用密封真空腔体和加力键合的硅与硅真空键合装置及键合方法。设有上盖、底座和密封圈，密封圈设于上盖与底座之间，在上盖和底座中设管道，在上盖或底座中由真空腔内至外部设真空腔管道。键合方法为在键合装置的密封真空键合腔体中灌入氧气或氮气，在腔体内形成正压，将硅片清洗，甩干后放入键合装置的上盖的下方和底座的上方，打开阀门，抽真空。可实用于硅与硅、硅与玻璃、硅与硅重掺杂P+面、硅与碳化硅、硅与砷化镓材料的预键合。预键合强度极强，广泛应用在SOI硅片的生产，微机电器件中硅面与硅面、硅面与氧化层面、硅面与P+掺杂面、硅面与碳化硅面、硅与玻璃材料键合的工艺。制作成本低，键合成功率高，容易成批量生产。

公开(公告)号：CN2617030Y

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03203520.9

申请日：2003-02-11

Applicant: 厦门大学

Inventor： 冯勇建 ,  吴青海

IPC: H01L21/00

Abstract: 涉及一种半导体器件或其部件的制造或处理，尤其是一种利用密封真空腔体和加力键合的硅与硅真空键合装置。设有上盖、底座和真空密封圈；真空密封圈设于上盖与底座之间；在上盖中由下表面至上盖外设管道，在底座中由上表面至底座外设管道，在上盖或底座中由真空腔内至外部设真空腔管道。可以实用于硅与硅、硅与玻璃、硅与硅重掺杂P+面、硅与碳化硅、硅与砷化镓材料的预键合，其优点是用于硅与硅真空加力键合工艺时，具有极强的预键合强度，可广泛应用在SOI硅片的生产，微机电(MEMS)器件中硅面与硅面、硅面与氧化层面、硅面与P+掺杂面、硅面与碳化硅面、硅与玻璃材料键合的工艺。其制作成本低，键合成功率高，工艺过程容易成批量生产。