一种CsPbBr3单晶的溶液生长方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116716650A

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202310532352.0

    申请日:2023-05-12

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了一种CsPbBr3单晶的溶液生长方法,包括如下步骤:(1)将CsBr和PbBr2与DMSO混合,进行超声处理直至澄清透明;(2)在步骤(1)所得的物料中加入聚丙二醇3000,继续进行超声处理直至均匀;(3)将部分步骤(2)所得的物料置于基底上,进行恒温蒸发,获得籽晶作为晶种;(4)将上述晶种和另一基底置于经过滤的剩余的步骤(2)所得的物料中,同时使该晶种位于该另一基底的中心,进行恒温蒸发,获得CsPbBr3单晶。本发明采用改进的蒸发溶剂法生长CsPbBr3单晶,用聚丙二醇3000和溶质配位,减少额外成核,在容器中加入硅基片片有效避免杂晶生成,同时使单晶底面更加光滑,提升晶体质量。

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