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公开(公告)号：CN106904700B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201710171870.9
申请日：2017-03-22
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N30/96 , C02F103/08
Abstract: 一种石墨烯基薄膜包覆金属作为电极材料的离子分离器件，涉及离子分离器件。离子分离器件设有金属负极、负极基底、盐水入口、淡盐水出口、浓盐水出口、Y形通道和正极基片；所述金属负极包覆有石墨烯纳米多孔膜，金属负极预埋在负极基底中，金属负极有一个面露出负极基底，盐水入口、浓盐水出口和淡盐水出口相互连通并形成盐水、浓盐水、淡盐水三条通道，金属负极位于淡盐水通道中并靠近盐水、浓盐水、淡盐水三条通道交叉处，金属负极暴露在淡盐水通道中。先制备石墨烯纳米多孔膜包覆的金属电极，再制作石墨烯基薄膜包覆金属作为电极材料的离子分离器件。制作简单、成本低、离子分离效果好、可大规模集成与应用，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106927541A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710171940.0
申请日：2017-03-22
Applicant: 厦门大学
IPC: C02F1/44 , B01D63/00 , B01D69/12 , B01D67/00 , C02F103/08
CPC classification number: Y02A20/131 , C02F1/442 , B01D63/005 , B01D67/0079 , B01D69/12 , C02F2103/08
Abstract: 一种基于石墨烯多孔膜的离子浓差极化芯片及其制备方法，涉及离子浓差极化芯片。芯片包括玻璃底座、PDMS基片、缓冲溶液的进出水口、第1PDMS基片中的石墨烯基多孔膜；第1PDMS基片带有Y形凹槽，第2PDMS基片带有I形凹槽。制备方法：配制石墨烯基前驱体浆料；制作芯片；将石墨烯基前驱体浆料涂抹在Y通道的切口处，固化后即得芯片。价格低，工艺简单，容易制取；石墨烯类材料自身属于弱酸，对器件的危害低；石墨烯类材料电导率调控方便，易于进行表面官能团与电荷调控，可与大量材料进行复合实现复合薄膜与器件的制备。较于Nafion基的芯片，石墨烯基的芯片能形成更稳定、范围更大的耗尽区。
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公开(公告)号：CN106904700A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710171870.9
申请日：2017-03-22
Applicant: 厦门大学
IPC: C02F1/48 , C02F103/08
CPC classification number: C02F1/48 , C02F2103/08
Abstract: 一种石墨烯基薄膜包覆金属作为电极材料的离子分离器件，涉及离子分离器件。离子分离器件设有金属负极、负极基底、盐水入口、淡盐水出口、浓盐水出口、Y形通道和正极基片；所述金属负极包覆有石墨烯纳米多孔膜，金属负极预埋在负极基底中，金属负极有一个面露出负极基底，盐水入口、浓盐水出口和淡盐水出口相互连通并形成盐水、浓盐水、淡盐水三条通道，金属负极位于淡盐水通道中并靠近盐水、浓盐水、淡盐水三条通道交叉处，金属负极暴露在淡盐水通道中。先制备石墨烯纳米多孔膜包覆的金属电极，再制作石墨烯基薄膜包覆金属作为电极材料的离子分离器件。制作简单、成本低、离子分离效果好、可大规模集成与应用，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106927541B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201710171940.0
申请日：2017-03-22
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种基于石墨烯多孔膜的离子浓差极化芯片及其制备方法，涉及离子浓差极化芯片。芯片包括玻璃底座、PDMS基片、缓冲溶液的进出水口、第1PDMS基片中的石墨烯基多孔膜；第1PDMS基片带有Y形凹槽，第2PDMS基片带有I形凹槽。制备方法：配制石墨烯基前驱体浆料；制作芯片；将石墨烯基前驱体浆料涂抹在Y通道的切口处，固化后即得芯片。价格低，工艺简单，容易制取；石墨烯类材料自身属于弱酸，对器件的危害低；石墨烯类材料电导率调控方便，易于进行表面官能团与电荷调控，可与大量材料进行复合实现复合薄膜与器件的制备。较于Nafion基的芯片，石墨烯基的芯片能形成更稳定、范围更大的耗尽区。
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