公开(公告)号：CN107863432B

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201711187616.4

申请日：2017-11-24

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 杨丹 ,  杨晓蕾 ,  叶佩青 ,  翁启伟 ,  刘兆

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/14

Abstract: 本申请提供一种提升LED性能的LED制备方法及LED芯片，制备方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成图形化欧姆接触层，图形化欧姆接触层为GaxIn(1‑x)N材质；在图形化欧姆接触层以及第二型半导体层上形成电流扩展层；其中，电流扩展层与欧姆接触层的厚度总和小于或等于由于通过控制欧姆接触层中In和Ga组分，能够使其具有相对于电流扩展层更高的横向电导率、与第二型半导体层之间的欧姆接触特性以及合适的折射率、可见光波段下透射效果好等特性，使得本发明中能够采用图形化欧姆接触层代替部分厚度的电流扩展层实现电流扩展的功能从而提高LED芯片的出光率。

公开(公告)号：CN107863432A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201711187616.4

申请日：2017-11-24

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 杨丹 ,  杨晓蕾 ,  叶佩青 ,  翁启伟 ,  刘兆

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/14

CPC classification number: H01L33/387 ,  H01L33/14

Abstract: 本申请提供一种提升LED性能的LED制备方法及LED芯片，制备方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成图形化欧姆接触层，图形化欧姆接触层为GaxIn(1-x)N材质；在图形化欧姆接触层以及第二型半导体层上形成电流扩展层；其中，电流扩展层与欧姆接触层的厚度总和小于或等于 由于通过控制欧姆接触层中In和Ga组分，能够使其具有相对于电流扩展层更高的横向电导率、与第二型半导体层之间的欧姆接触特性以及合适的折射率、可见光波段下透射效果好等特性，使得本发明中能够采用图形化欧姆接触层代替部分厚度的电流扩展层实现电流扩展的功能从而提高LED芯片的出光率。