热辅助磁写入存储器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101465407B

    公开(公告)日:2014-09-24

    申请号:CN200810172771.3

    申请日:2008-12-12

    摘要: 一种热辅助磁写入存储器,包括存储点或存储单元,每个存储点或存储单元包括由以反铁磁材料制成的层彼此分离的双磁隧道结,其中,构成它们的层的堆叠顺序彼此相反,每个磁隧道结包括:参考层;存储层;绝缘层,其插入在参考层与存储层之间,构成相关的磁隧道结的隧道势垒;层的截止温度低于对应磁隧道结的参考层的截止温度。两个隧道势垒的电阻与面积的乘积RA是不同的。每一存储点包括:用于将存储层加热到高于该层的截止温度的温度的装置。存储器包括:用于施加磁场的装置,以便相对于一个或多个参考层的磁化对每一存储点的一个或多个存储层的磁化进行定向,而不改变相关的参考层的方向。

    热辅助磁写入存储器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101465407A

    公开(公告)日:2009-06-24

    申请号:CN200810172771.3

    申请日:2008-12-12

    摘要: 一种热辅助磁写入存储器,包括存储点或存储单元,每个存储点或存储单元包括由以反铁磁材料制成的层彼此分离的双磁隧道结,其中,构成它们的层的堆叠顺序彼此相反,每个磁隧道结包括:参考层;存储层;绝缘层,其插入在参考层与存储层之间,构成相关的磁隧道结的隧道势垒;层的截止温度低于对应磁隧道结的参考层的截止温度。两个隧道势垒的电阻与面积的乘积RA是不同的。每一存储点包括:用于将存储层加热到高于该层的截止温度的温度的装置。存储器包括:用于施加磁场的装置,以便相对于一个或多个参考层的磁化对每一存储点的一个或多个存储层的磁化进行定向,而不改变相关的参考层的方向。