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发明公开
冷发射电极及其制造方法和采用这种电极的显示装置无效

公开(公告)号：CN1242592A

公开(公告)日：2000-01-26

申请号：CN99103112.1

申请日：1999-03-24

Applicant: 卡西欧计算机株式会社 , 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 中村修 , 铃木滋生 , 森裕一 , 平间浩则

IPC: H01J1/30 , H01J9/02 , H01J17/06 , H01J17/49

Abstract: 通过利用电阻加热或电子束进行沉积或溅镀在由基于Ni－Cr的材料制成的基片表面上形成钇膜。在一含有非常少量的氢的惰性气体环境中加热来氢化钇膜。所得钇氢化物极适用作冷发射电极的冷发射材料,并能用于冷发射放电荧光管。

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