公开(公告)号：CN118430977B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410865738.8

申请日：2024-07-01

申请人： 南通江海电容器股份有限公司 ,  华南理工大学

发明人： 唐浩然 ,  刘春晨 ,  黄飞 ,  丁继华 ,  姚玉建 ,  丰骏 ,  景俊峰

IPC分类号： H01G9/042 ,  H01G9/048 ,  H01G9/07 ,  H01G9/14 ,  H01G9/26

摘要： 本申请公开了一种基于n型导电聚合物的片式叠层电容器及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：获取表面为氧化物介质层的电容单片，将电容单片表面洗净干燥后，含浸表面修饰剂溶液，再进行干燥，得到表面改性后的电容单片；将表面改性后的电容单片依次含浸聚合单体溶液和氧化剂溶液，在每步含浸后进行干燥，重复流程6~10次，至n型导电聚合物薄膜形成；将n型导电聚合物薄膜的电容单片再含浸外膜层溶液，并加热干燥，实现在氧化膜上n型导电聚合物的完全生长；含浸导电碳浆和银浆，再层叠挤压，得到片式叠层电容器。在降低片式叠层聚合物电容器的等效串联电阻的同时，有效提升了片式叠层聚合物电容器在高温高湿环境下的工作稳定性。

公开(公告)号：CN118430977A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410865738.8

申请日：2024-07-01

申请人： 南通江海电容器股份有限公司 ,  华南理工大学

发明人： 唐浩然 ,  刘春晨 ,  黄飞 ,  丁继华 ,  姚玉建 ,  丰骏 ,  景俊峰

IPC分类号： H01G9/042 ,  H01G9/048 ,  H01G9/07 ,  H01G9/14 ,  H01G9/26

摘要： 本申请公开了一种基于n型导电聚合物的片式叠层电容器及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：获取表面为氧化物介质层的电容单片，将电容单片表面洗净干燥后，含浸表面修饰剂溶液，再进行干燥，得到表面改性后的电容单片；将表面改性后的电容单片依次含浸聚合单体溶液和氧化剂溶液，在每步含浸后进行干燥，重复流程6~10次，至n型导电聚合物薄膜形成；将n型导电聚合物薄膜的电容单片再含浸外膜层溶液，并加热干燥，实现在氧化膜上n型导电聚合物的完全生长；含浸导电碳浆和银浆，再层叠挤压，得到片式叠层电容器。在降低片式叠层聚合物电容器的等效串联电阻的同时，有效提升了片式叠层聚合物电容器在高温高湿环境下的工作稳定性。