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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111347016A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010384224.2
申请日：2020-05-08
Applicant: 南昌工程学院
IPC: B22D11/055
Abstract: 本发明涉及一种循环冷却式连铸结晶器，包括结晶器本体、外层壳体和冷却箱，结晶器本体的两端设有凸台，外层壳体套设在凸台上，结晶器本体、凸台与外层壳体之间形成封闭的第一冷却通道，凸台上分别设有与第一冷却通道连通的第一进水口和第一出水口；外层壳体内设有第二冷却通道，外层壳体的两端面分别设有与第二冷却通道连通的第二进水口和第二出水口；冷却箱内设有蛇形换热管；冷却箱靠近出水管的一侧设有吹风机，冷却箱靠近进水管的一侧设有抽风机。本发明结晶器采用两个冷却通道，提高散热效率，使得散热更均匀，使结晶器结晶速度保持一致，保证结晶效果。采用冷却水循环利用，减少水资源利用，降低成本，提高系统整体性和系统运行的稳定性。
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公开(公告)号：CN107553857B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201710982086.6
申请日：2017-10-20
Applicant: 南昌工程学院
Abstract: 一种用于聚合物加工的气体辅助微共挤成型装置，其中，作为芯层熔体流动通道的口模芯层为中空结构，口模壳层为壳层熔体流动通道，且口模壳层与口模芯层下端组成壳层熔体储料区；共挤过渡段设置在口模壳层下方；气室腔体与底板共同组成气室，使气体能平稳流入气辅微共挤流道；底板中间为气辅微共挤流道，气辅微共挤流道直径略大于棒材壳层外径，共挤过渡段与气室组成气辅共挤段；同时在底板上表面与共挤过渡段下表面留有口模进气缝隙，以在熔体表面与口模壁面间形成稳定气垫膜层，使气辅微共挤流道内熔体的流动由非滑移的粘着剪切流动转换为完全滑移的非粘着剪切流动，进而有效改善因熔体应力、剪切速率或流动不平衡引起的缺陷。
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公开(公告)号：CN111347016B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202010384224.2
申请日：2020-05-08
Applicant: 南昌工程学院
IPC: B22D11/055
Abstract: 本发明涉及一种循环冷却式连铸结晶器，包括结晶器本体、外层壳体和冷却箱，结晶器本体的两端设有凸台，外层壳体套设在凸台上，结晶器本体、凸台与外层壳体之间形成封闭的第一冷却通道，凸台上分别设有与第一冷却通道连通的第一进水口和第一出水口；外层壳体内设有第二冷却通道，外层壳体的两端面分别设有与第二冷却通道连通的第二进水口和第二出水口；冷却箱内设有蛇形换热管；冷却箱靠近出水管的一侧设有吹风机，冷却箱靠近进水管的一侧设有抽风机。本发明结晶器采用两个冷却通道，提高散热效率，使得散热更均匀，使结晶器结晶速度保持一致，保证结晶效果。采用冷却水循环利用，减少水资源利用，降低成本，提高系统整体性和系统运行的稳定性。
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公开(公告)号：CN107553857A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710982086.6
申请日：2017-10-20
Applicant: 南昌工程学院
Abstract: 一种用于聚合物加工的气体辅助微共挤成型装置，其中，作为芯层熔体流动通道的口模芯层为中空结构，口模壳层为壳层熔体流动通道，且口模壳层与口模芯层下端组成壳层熔体储料区；共挤过渡段设置在口模壳层下方；气室腔体与底板共同组成气室，使气体能平稳流入气辅微共挤流道；底板中间为气辅微共挤流道，气辅微共挤流道直径略大于棒材壳层外径，共挤过渡段与气室组成气辅共挤段；同时在底板上表面与共挤过渡段下表面留有口模进气缝隙，以在熔体表面与口模壁面间形成稳定气垫膜层，使气辅微共挤流道内熔体的流动由非滑移的粘着剪切流动转换为完全滑移的非粘着剪切流动，进而有效改善因熔体应力、剪切速率或流动不平衡引起的缺陷。
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公开(公告)号：CN207403129U
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201721354515.7
申请日：2017-10-20
Applicant: 南昌工程学院
Abstract: 一种用于聚合物加工的气体辅助微共挤成型装置，其中，作为芯层熔体流动通道的口模芯层为中空结构，口模壳层为壳层熔体流动通道，且口模壳层与口模芯层下端组成壳层熔体储料区；共挤过渡段设置在口模壳层下方；气室腔体与底板共同组成气室，使气体能平稳流入气辅微共挤流道；底板中间为气辅微共挤流道，气辅微共挤流道直径略大于棒材壳层外径，共挤过渡段与气室组成气辅共挤段，对熔体进行挤压；同时在底板上表面与共挤过渡段下表面留有口模进气缝隙，以在熔体表面与口模壁面间形成稳定气垫膜层，使气辅微共挤流道内熔体的流动由非滑移的粘着剪切流动转换为完全滑移的非粘着剪切流动，进而有效改善因熔体应力、剪切速率或流动不平衡引起的缺陷。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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