-
公开(公告)号：CN113237853A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110254660.2
申请日：2021-03-09
Applicant: 南昌大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 发明一种基于硅衬底GaN基黄光发光二极管光源的落射式荧光成像系统，采用硅衬底GaN基黄光发光二极管作为光源，构建了一套荧光成像系统。主要发明内容包括的照明系统模块、样品激发模块和荧光探测模块。照明系统模块中，采用非球面透镜组对硅衬底GaN基黄光LED光源进行准直；样品激发模块中，将准直后的光束通过二向色镜反射进入光阑和物镜聚焦，对样品进行激发；荧光探测模块中，将激发出的荧光经物镜接收后通过二向色镜和荧光滤色片，经收集透镜后进入CMOS相机成像。本发明将硅衬底GaN基黄光LED作为光源应用于落射式荧光成像系统，相比于商业显微镜中常用的汞灯照明的超宽光谱，LED窄带波普可以减少交叉激发，同时具有增加图像的对比度和信曝比等优势。
Search Results
1
records
(took 0.012 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
