公开(公告)号：CN112540429A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202011502641.9

申请日：2020-12-18

Applicant: 南昌大学

Inventor： 邹林儿 ,  石文吉 ,  陈抱雪 ,  沈云 ,  邓晓华

IPC: G02B6/13 ,  G02B6/132 ,  G02B6/122 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明公开了一种制备低损耗As20S80硫系玻璃隧道光波导的方法，在真空高温炉中制备As20S80粉末，并将其作为蒸发源，在10‑3 Pa的真空条件下，控制沉积速率在9~10Å/sec，在玻璃基板上蒸镀形成1μm厚的沉积态As20S80薄膜，所得As20S80薄膜上放置5μm线宽的条形结构掩膜版，用光强为50~60 mW/cm2、波长为300–430 nm的紫外光辐照70~90分钟使薄膜光照区达到光照饱和态，形成所述As20S80隧道光波导结构，As20S80隧道光波导再置于退火炉中，在130℃玻璃转化温度附近，充氮退火1 h后，继续充氮自然冷却至室温，制备出损耗低至0.7 dB/cm的As20S80隧道光波导。本发明方法通过对蒸镀在玻璃基板上的As20S80薄膜进行紫外光辐照和退火处理制备隧道光波导，制备工艺简单、成本低，制得的As20S80隧道光波导传输损耗低，具有良好的光传输性能。