一种具有特定发光图形的AlGaInP薄膜LED芯片的制备方法

    公开(公告)号:CN112909143A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN202110152719.7

    申请日:2021-02-04

    Abstract: 本发明公开了一种具有特定发光图形的AlGaInP薄膜LED芯片的制备方法,该方法包括AlGaInP薄膜外延层的生长和N面出光的垂直薄膜结构LED芯片的制造;芯片制造主要包括P面钝化层的制备、P电极制备、外延层由衬底转导电基板的转移、腐蚀截止层去除、n型欧姆接触层的图形化、外延层的图形化、pn结钝化层制备与图形化、N电极制备和表面钝化层的制备与图形化,以及芯片切割。本发明可用于指示、显示等领域,相对于目前采用光遮挡片实现特定发光图形的方案,本发明具有更加节能、发光图形效果更好和图案更丰富等优势,且有利于批量生产。另外,本发明还可以在同一颗LED芯片上实现对多个分离的发光图形的独立控制。

    一种基于节点竞争值及软阈值的双簇头选举方法

    公开(公告)号:CN103209454A

    公开(公告)日:2013-07-17

    申请号:CN201310003326.5

    申请日:2013-01-06

    Applicant: 南昌大学

    CPC classification number: Y02D70/20

    Abstract: 一种基于节点竞争值及软阈值的双簇头选举方法,本方法中各无线传感器节点先根据自己的剩余能量、簇头与基站的距离计算出自己的竞争值,自选为簇头后向四周广播撤销信号,接收到撤销信号的节点依据竞争值的大小判断是否撤销自己的簇头身份,直至选择出所有主簇头。本发明保证所有节点都入簇,不会出现监测盲点;有选择性地在簇内选举出一个副簇头,分担主簇头的能量消耗,从而均衡网络中节点的能量消耗,延长网络的生命周期。

    n面出光为特定几何图形的AlGaInP薄膜LED芯片结构

    公开(公告)号:CN112490303A

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN202011168549.3

    申请日:2020-10-28

    Abstract: 本发明公开了一种n面出光为特定几何图形的AlGaInP薄膜LED芯片结构,所述LED芯片包括基板、粘结保护层、p电极,在p电极的上面设有图形化外延层;图形化外延层从下至上依次包括:p型层、发光层、n型层、n型欧姆接触层;在图形化外延层上面设有钝化层和n电极;n电极与图形化外延层接触的区域为n型欧姆接触层;所述的图形化外延层形状为特定平面几何图形。本发明应用于指示、显示等领域,具有光的品质更佳、光的显指更高等优点,并且更加节能和有利于批量生产。

    一种可调距离LED光源穿透性实验装置

    公开(公告)号:CN212807566U

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:CN202021232993.2

    申请日:2020-06-30

    Inventor: 廖小琴 王光绪

    Abstract: 本实用新型公开了一种可调距离LED光源穿透性实验装置,包括箱体、LED光源、空气监控仪、烟雾室、烟雾制造器、接收探头等,在箱体的箱腔内设有竖直放置的可移动透明板,可移动透明板将箱体的箱腔分隔为左室和右室;两个空气监控仪位于箱体右室的内部,进水口和排水口分别位于箱体的顶部和底部;两个烟雾室位于箱体的底部并通过软管分别与左室和右室相连,在烟雾室内设有烟雾制造器。在软管连接箱体的进口处设有风扇和滤网。在可移动透明板的左侧安装有推拉杆。本实用新型的结构简单,测量快速准确且灵活,能够方便地测试不同介质下LED光源的穿透性以及距离对穿透性的影响,对长距离照明以及水下光通信的光源选择方面提供一定的参考。

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