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公开(公告)号：CN109888100B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201910057914.4
申请日：2019-01-22
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种铷掺杂氧化镍薄膜的制备及作为空穴传输层在钙钛矿太阳能电池中的应用，铷掺杂氧化镍薄膜的制备：将四水合醋酸镍和醋酸铷按一定的比例溶解在含有二乙胺的乙二醇溶液中，在室温下搅拌过夜成绿色铷掺杂氧化镍前驱体溶液；将铷掺杂氧化镍前驱体溶液旋涂于ITO玻璃衬底上，随后两次不同温退火，制备出铷掺杂氧化镍薄膜。反向平面钙钛矿太阳能电池结构各层由下至上依次为：ITO、铷掺杂的氧化镍、钙钛矿、PCBM、BCP、银。本发明具有更好的导电性和空穴迁移率，且能够减少镍的缺陷，进而有助于空穴的提取；在铷掺杂的氧化镍薄膜上生长的钙钛矿薄膜晶粒尺寸更大。具有更高的光电转换效率和更好的稳定性。
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公开(公告)号：CN109950410B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910281998.X
申请日：2019-04-09
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种钙钛矿薄膜的制备方法及在钙钛矿太阳能电池中的应用，用一步法以4000r的转速在ITO玻璃基底上旋涂钙钛矿前驱体溶液，在旋涂8s后将溶有接聚合物侧链的n型半导体材料的氯苯溶液滴入正在高速旋转的基底上，然后，通过100℃退火30min，冷却至室温后，获得钙钛矿薄膜。所述的钙钛矿太阳能电池结构从上到下各层为：ITO/NiOx/PVK/PCBM/BCP/Ag。本发明能促进钙钛矿晶体成核，减少晶界数量和钝化晶界缺陷，从而达到优化钙钛矿薄膜的形貌和改善器件性能的效果；可形成n型‑掺杂提高半导体的导电性，有利于电荷传输和减少复合；能避免电池器件性能发生迟滞现象并有效地提高稳定性。
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公开(公告)号：CN109950410A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910281998.X
申请日：2019-04-09
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种钙钛矿薄膜的制备方法及在钙钛矿太阳能电池中的应用，用一步法以4000r的转速在ITO玻璃基底上旋涂钙钛矿前驱体溶液，在旋涂8s后将溶有接聚合物侧链的n型半导体材料的氯苯溶液滴入正在高速旋转的基底上，然后，通过100℃退火30min，冷却至室温后，获得钙钛矿薄膜。所述的钙钛矿太阳能电池结构从上到下各层为：ITO/NiOx/PVK/PCBM/BCP/Ag。本发明能促进钙钛矿晶体成核，减少晶界数量和钝化晶界缺陷，从而达到优化钙钛矿薄膜的形貌和改善器件性能的效果；可形成n型-掺杂提高半导体的导电性，有利于电荷传输和减少复合；能避免电池器件性能发生迟滞现象并有效地提高稳定性。
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公开(公告)号：CN109888100A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910057914.4
申请日：2019-01-22
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种铷掺杂氧化镍薄膜的制备及作为空穴传输层在钙钛矿太阳能电池中的应用，铷掺杂氧化镍薄膜的制备：将四水合醋酸镍和醋酸铷按一定的比例溶解在含有二乙胺的乙二醇溶液中，在室温下搅拌过夜成绿色铷掺杂氧化镍前驱体溶液；将铷掺杂氧化镍前驱体溶液旋涂于ITO玻璃衬底上，随后两次不同温退火，制备出铷掺杂氧化镍薄膜。反向平面钙钛矿太阳能电池结构各层由下至上依次为：ITO、铷掺杂的氧化镍、钙钛矿、PCBM、BCP、银。本发明具有更好的导电性和空穴迁移率，且能够减少镍的缺陷，进而有助于空穴的提取；在铷掺杂的氧化镍薄膜上生长的钙钛矿薄膜晶粒尺寸更大。具有更高的光电转换效率和更好的稳定性。
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