电场传感器
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN116106646B

    公开(公告)日:2024-01-19

    申请号:CN202211444847.X

    申请日:2022-11-18

    Abstract: 本申请涉及一种电场传感器,涉及传感器技术领域。该电场传感器包括:基座框,固定电极,该固定电极与该基座框连接,压电驱动梁,该压电驱动梁与该基座框连接,该压电驱动梁包括多段驱动梁,该多段驱动梁中任意相邻的两段驱动梁之间的角度小于180°,为该压电驱动梁施加驱动电压的驱动电路,向该压电驱动梁施加的驱动电压驱动该多段驱动梁在垂直方向上向同向移动,可动电极,该可动电极与该压电驱动梁的末端连接,且,在该电场传感器处于非工作状态时,该可动电极与该固定电极位于同一平面上。采用该电场传感器可以提高电场传感器的灵敏度。

    基于异构数据的变压器缺陷诊断方法、装置和计算机设备

    公开(公告)号:CN115656747A

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202211687682.9

    申请日:2022-12-26

    Abstract: 本申请涉及一种基于异构数据的变压器缺陷诊断方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。方法包括:获取模拟变压器放电的第一仿真模型;第一仿真模型用于输出变压器的第一仿真放电数据;获取变压器的现场传感器数据,根据第一仿真放电数据和现场传感器数据,对第一仿真模型的模型参数进行调整,得到第二仿真模型;第二仿真模型用于输出变压器的第二仿真放电数据;第二仿真放电数据与现场传感器数据的相关程度大于第一仿真放电数据与现场传感器数据的相关程度;获取变压器的现场异构数据,将现场异构数据和第二仿真放电数据输入至预训练的缺陷诊断模型,得到变压器的缺陷诊断结果。采用本方法能够准确地识别变压器的缺陷。

    一种CrTe/ZnTe半金属异质结光栅结构的磁场探测方法

    公开(公告)号:CN115616458A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202211283580.0

    申请日:2022-10-19

    Abstract: 本发明涉及磁场探测技术领域,且公开了一种CrTe/ZnTe半金属异质结光栅结构的磁场探测方法,通过材料制备工艺及探测器工作频段建立CrTe/ZnTe半金属异质结光栅结构,随后对CrTe/ZnTe光栅结构施加磁场,建立磁场强度和响应谱特征相互对应的理论模型;利用刻蚀工艺加工所设计的结构,然后对样品进行封装测试。提出设计CrTe/ZnTe半金属异质结的光栅结构,利用CrTe/ZnTe光栅结构响应谱的变化来探测外界磁场的大小。因微弱的磁场变化就会影响CrTe/ZnTe材料的磁阻等特性,从而进一步改变CrTe/ZnTe光栅结构的响应谱共振频率。通过此方法可有效的提高磁场探测的灵敏度、共振机械特性及温度稳定性,为高灵敏的弱磁场探测提供了一种全新的解决方案。

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