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公开(公告)号：CN109473548A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811219439.8
申请日：2018-10-19
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供了一种基于P3HT纳米线的三端仿生突触电子器件。通过设计类场效应管结构的P3HT纳米线神经突触仿生电子器件来实现神经信号在突触间传递的模拟。通过对所述P3HT纳米线突触电子器件进行电学表征，证明所述器件具有的突触短时程可塑性与部分突触功能，其在构建具有模式识别、逻辑推理、归纳总结、自主学习等功能的新型计算系统中具有重要的意义。
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