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公开(公告)号:CN1049690A
公开(公告)日:1991-03-06
申请号:CN89106608.X
申请日:1989-08-24
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属于红外热释电材料。TGFb单晶体是一种优良的热释电材料,但在育晶时其晶体难于生成。本发明使用HBF4部分取代TGFb中的H2BeF4合成出新型TGFbFb热释电材料。采用本法易于生长出大尺寸的完整晶形的晶体;本材料的热释电系数(P)比TGFb单晶体的P值提高20%,优值比(P/ε)>1.93×10-9(库/厘米2·度),居里温度>72℃;TGFbFb单晶可用于制作红外器件,其灵敏度比TGFb高,且使用的温度范围宽。
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公开(公告)号:CN1034401A
公开(公告)日:1989-08-02
申请号:CN88100273
申请日:1988-01-19
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明关于红外热释电材料。纯TGS单晶体作为热解电材料,目前广泛地用于制作红外传感器,热显象管、遥感遥控仪及红外探测器等方面,但其热释电系数(P)和优值比(P/ε)还不太理想。本发明是使用其它无机酸部分取代TGS的硫酸而制得改性的TGS单晶体,其P值可达4.0~7.8×10-8(库/cm2·度),P/ε可达2.2×10-9(库/cm2·度)。使用改性的TGS单晶体制出的器件的灵敏度可大大提高。
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